Publications-2011

Below, all publications of the laboratory dated 2011 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 38 entries.

  • Грехов,ИВ; Костина,ЛС; Козловский,ВВ; Ломасов,ВН; Рожков,АВ Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 2011, Письма ЖТФ, т.37, 9 с. 105-110 Grekhov,IV; Kostina,LS; Kozlovskii,VV; Lomasov,VN; Rozhkov,AV Electron irradiation controlled profile of recombination center concentration in silicon 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 5 p. 442-444 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011050075
  • Gusin,DV; Gorbatyuk,AV; Grekhov,IV Dynamic current localization in power bipolar switches with imperfect interconnections of controlled cells 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE AND SEMINAR ON MICRO/NANOTECHNOLOGIES AND ELECTRON DEVICES, EDM , p. 132-136 2011 IEEE ISBN: 978-161284795-5
  • Иванов,ПА; Грехов,ИВ; Ильинская,НД; Коньков,ОИ; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Серебренникова,ОЮ Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC 2011, ФТП, т.45, 5 с. 677-681 Ivanov,PA; Grekhov,IV; Il`inskaya,ND; Kon`kov,OI; Potapov,AS; Samsonova,TP; Serebrennikova,OU High-voltage (3.3 kV) 4H-SiC JBS diodes 2011, Semiconductors, v.45, 5 p. 668-672 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611050125
  • Иванов,ПА; Грехов,ИВ; Коньков,ОИ; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Семенов,ТВ Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ 2011, ФТП, т.45, 10 с. 1427-1430 Ivanov,PA; Grekhov,IV; Kon`kov,OI; Potapov,AS; Samsonova,TP; Semenov,TV I-V characteristics of high-voltage 4H-SiC diodes with a 1.1-eV Schottky barrier 2011, Semiconductors, v.45, 10 p. 1374-1377 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611100095
  • Delimova,LA; Yuferev,VS; Ankudinov,AV; Gushchina,EV; Grekhov,IV Polarization dependence and relaxation of the current in polycrystalline ferroelectric Pb(ZrTi)O3 film Mater. Res. Soc. Symp. Proc., v.1292, p. 21-26 2011 MATERIALS RESEARCH SOCIETY ISSN: 0272-9172
  • Грехов,ИВ; Родин,ПБ Запуск сверхбыстрых фронтов ионизации в кремниевых диодных структурах термополевой эмиссией электронов с глубоких центров 2011, Письма ЖТФ, т.37, 18 с. 17-25 Grekhov,IV; Rodin,PB Triggering of superfast ionization fronts in silicon diode structures by field-enhanced thermionic electron emission from deep centers 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 9 p. 849-853 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011090203
  • Векслер,МИ; Грехов,ИВ Моделирование электрических характеристик туннельных структур металл-диэлектрик-полупроводник сферической формы 2011, Письма ЖТФ, т.37, 21 с. 33-40 Vexler,MI; Grekhov,IV Modeling of the electrical characteristics of spherical metal-insulator-semiconductor tunnel structures 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 11 p. 1003-1007 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011110149
  • Грехов,ИВ; Воронков,ВБ; Жмодиков,АЛ; Коротков,СВ; Костина,ЛС; Рожков,АВ Сравнительное исследование коммутационных возможностей кремниевых диодов с различными формами осевого распределения рекомбинационных центров 2011, ПТЭ, т.4 с. 83-87 Grekhov,IV; Voronkov,VB; Zhmodikov,AL; Korotkov,SV; Kostina,LS; Rozhkov,AV A comparative study of switching possibilities of silicon diodes with different axial distribution shapes of recombination centers 2011, Instrum. Exp. Tech., v.54, 4 p. 524-528 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S002044121104004X
  • Грехов,ИВ; Белякова,ЕИ; Костина,ЛС; Рожков,АВ; Аргунова,ТС; Оганесян,ГА Исследование процесса обратного восстановления Si/Si1-xGex гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием 2011, Письма ЖТФ, т.37, 13 с. 83-89 Grekhov,IV; Belyakova,EI; Kostina,LS; Rozhkov,AV; Argunova,TS; Oganesyan,GA Reverse recovery of Si/Si(1-x)Ge(x) heterodiodes fabricated by direct bonding 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 7 p. 632-635 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011070078
  • Грехов,ИВ; Рожков,АВ; Костина,ЛС; Коновалов,АВ; Фоменко,ЮЛ Высоковольтный быстрый диод с “мягким” восстановлением 2011, ЖТФ, т.81, 10 с. 50-54 Grekhov,IV; Rozhkov,AV; Kostina,LS; Konovalov,AV; Fomenko,YL High-voltage fast diode with “soft” recovery 2011, Tech. Phys., v.56, 10 p. 1429-1433 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784211100082
  • Delimova,LA; Yuferev,VS; Grekhov,IV High retention of polarization in polycrystalline M/PZT/M capacitors in the presence of depolarization field near grain boundaries2011, IEEE Ultrason. Ferr., v.58, 10 p. 2252-2258 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TUFFC.2011.2075
  • Vexler,MI Electrostatics of a spherical tunnel MIS structure 2011, J. Appl. Phys., v.110, 4 Art No: #044323 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3626064
  • Illarionov,YY; Vexler,MI; Suturin,SM; Fedorov,VV; Sokolov,NS; Tsutsui,K; Takahashi,K Electron tunneling in MIS capacitors with the MBE-grown fluoride layers on Si(111) and Ge(111): Role of transverse momentum conservation 2011, Microelectron. Eng., v.88, 7 p. 1291-1294 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.079
  • Vexler,MI; Illarionov,YuYu; Suturin,SM; Fedorov,VV; Sokolov,NS Au/CaF2/nSi(111) tunnel emitter phototransistor 2011, Solid-State Electron., v.63, 1 p. 19-21 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.05.005
  • Baldycheva,A; Tolmachev,VA; Perova,TS; Zharova,YA; Astrova,EV; Berwick,KSilicon photonic crystal filter with ultrawide passband characteristics 2011, Opt. Lett., v.36, 10 p. 1854-1856 DOI: http://dx.doi.org/10.1364/OL.36.001854
  • Гуревич,СА; Теруков,ЕИ; Коньков,ОИ; Томасов,АА; Зеленина,НК; Компан,МЕ; Горохов,МВ; Астрова,ЕВ; Андроников,ДА; Забродский,АГ Компактный источник тока на основе воздушно-водородных топливных элементов со свободно-дышащими катодами
    2011, Письма ЖТФ, т.37, 9 с. 45-54 Gurevich,SA; Terukov,EI; Kon`kov,OI; Tomasov,AA; Zelenina,NK; Kompan,ME; Gorokhov,MV; Astrova,EV; Andronikov,DA; Zabrodskii,AG Portable power source based on air-hydrogen fuel cells with free-breathing cathodes 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 5 p. 412-416 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011050087
  • Дьяков,СА; Астрова,ЕВ; Perova,TS; Тиходеев,СГ; Гиппиус,НА; Тимошенко,ВЮ Оптические свойства щелевых кремниевых микроструктур: теория и эксперимент 2011, ЖЭТФ, т.140, 1 с. 92-98 Dyakov,SA; Astrova,EV; Perova,TS; Tikhodeev,SG; Gippius,NA; Timoshenko,VY Optical Properties of Grooved Silicon Microstructures: Theory and Experiment 2011, J. Exp. Theor. Phys., v.113, 1 p. 80-85 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063776111060161
  • Baldycheva,A; Tolmachev,VA; Perova,TS; Berwick,K; Zharova,YA; Astrova,EV Design, fabrication and optical characterization of multi-component photonic crystals for integrated silicon microphotonics Proc. SPIE, v.7943, #79430F-2011 SPIE ISSN: 0277-786X
  • Dyakov,SA; Astrova,EV; Perova,TS; Tolmachev,VA; Fedulova,GV; Baldycheva,A; Timoshenko,VY; Tikhodeev,SG; Gippius,NA Optical spectra of two-dimensional photonic crystal bars based on macroporous  Si in SILICON PHOTONICS VI Proc. SPIE, v.7943, #79431I-2011 SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING ISSN: 0277-786X ISBN: 978-0-8194-8480-2 Conference on Silicon Photonics VI; San Francisco, CA; 23-26 January 2011
  • Астрова,ЕВ; Федулова,ГВ; Смирнова,ИА; Ременюк,АД; Кулова,ТЛ; Скундин,АМ Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов на основе пористого кремния 2011, Письма ЖТФ, т.37, 15 с. 87-94 Astrova,EV; Fedulova,GV; Smirnova,IA; Remenyuk,AD; Kulova,TL; Skundin,AM Porous silicon based negative electrodes for lithium ion batteries 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 8 p. 731-734 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011080037
  • Astrova,EV; Fedulova,GV; Zharova,YuA Defect engineering in 2D photonic crystals fabricated by electrochemical etching of silicon in GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XIV Solid State Phenom., v.178-179, p. 459-464 2011 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 1012-0394 ISBN: 978-303785232-3
  • Astrova,EV; Fedulova,GV; Zharova,YuA; Gushchina,EV Side-wall roughness of deep trenches in 1D and 2D periodic silicon structures fabricated by photoelectrochemical etching Phys. Status Solidi C Curr. Top. Solid State Phys., v.8, 6, p. 1936-1940 2011 WILEY-VCH VERLAG GMBH ISSN: 1862-6351 7th International Conference on Porous Semiconductors – Science and Technology (PSST-2010)
  • Mamichev,DA; Konstantinova,EA; Astrova,EV; Zharova,YA; Timoshenko,VY Enhanced photoluminescence in grooved silicon microstructures 2011, Appl. Phys. B-Lasers Opt., v.104, 1 p. 99-104 DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s00340-011-4527-y
  • Жарова,ЮА; Федулова,ГВ; Астрова,ЕВ; Балдычева,АВ; Толмачев,ВА; Перова,ТС Технология получения гетеропереходов в решетке двумерного фотонного кристалла на основе макропористого кремния 2011, ФТП, т.45, 8 с. 1136-1143 Zharova,YA; Fedulova,GV; Astrova,EV; Baldycheva,AV; Tolmachev,VA; Perova,TS Fabrication technology of heterojunctions in the lattice of a 2D photonic crystal based on macroporous silicon 2 011, Semiconductors, v.45, 8 p. 1103-1110 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611080239
  • Rumyantsev,SL; Shur,MS; Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Palmour,JW; Agarwal,AK; Dhar,S Si-like low-frequency noise characteristics of 4H-SiC MOSFETs 2011, Semicond. Sci. Technol., v.26, 8 Art No: #085015 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/8/085015
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Korol`kov,O; Sleptsuk,N Исследование p-n-переходов на основе 4H-SiC, изготовленных имплантацией бора, методом нестационарной емкостной спектроскопии 2011, ФТП, т.45, 10 с. 1358-1362 Ivanov,PA; Potapov,AS; Samsonova,TP; Korol`kov,O; Sleptsuk,NA DLTS study of 4H-SiC-based p-n junctions fabricated by boron implantation 2011, Semiconductors, v.45, 10 p. 1306-1310 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611100101
  • Ivanov,P; Korolkov,O; Samsonova,T; Sleptsuk,N; Potapov,A; Toompuu,J; Rang,T DLTS measurements on 4H-SiC JBS-diodes with boron implanted local p-n junctions Mater. Sci. Forum, v.679-680, p. 409-412 2011 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-303785079-4
  • Левинштейн,МЕ; Иванов,ПА; Palmour,JW; Agarwal,AK; Das,МК Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC p-i-n-диодов под действием импульсов прямого тока 2011, Письма ЖТФ, т.37, 8 с. 7-12 Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Palmour,JW; Agarwal,AK; Das,MK Features of degradation in high-voltage 4H-SiC p-i-n diodes under the action of forward current pulses 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 4 p. 347-349 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011040237
  • Tolmachev,VA; Perova,TS; Baldycheva,AV Transformation of one-dimensional silicon photonic crystal into Fabry-Perot resonator in SILICON PHOTONICS VI Proc. SPIE, v.7943, p. #79430E-2011 SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING ISSN: 0277-786X ISBN: 978-0-81948-480-2
  • Феоктистов,НА; Сахаров,ВИ; Серенков,ИТ; Толмачев,ВА; Коркин,ИВ; Алексенский,АЕ; Вуль,АЯ; Голубев,ВГ Аэрозольное нанесение детонационных наноалмазов в качестве зародышей роста нанокристаллических алмазных пленок и изолированных частиц 2011, ЖТФ, т.81, 5 с. 124-130 Feoktistov,NA; Sakharov,VI; Serenkov,IT; Tolmachev,VA; Korkin,IV; Aleksenskii,AE; Vul`,AY; Golubev,VG Aerosol deposition of detonation nanodiamonds used as nucleation centers for the growth of nanocrystalline diamond films and isolated particles 2011, Tech. Phys., v.56, 5 p. 718-724 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784211050112
  • Baldycheva,A; Tolmachev,VA; Perova,TS; Berwick,K Formation of infrared regions of transparency in one-dimensional silicon photonic crystals 2011, IEEE Photonics Technol. Lett., v.23, 4 p. 200-202 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/LPT.2010.2096412
  • Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Кукушкина,ЮА; Соколов,ВВ Исследование термического окисления углеродных наноматериалов 2011, Письма ЖТФ, т.37, 9 с. 97-104 Glebova,NV; Nechitailov,AA; Kukushkina,YA; Sokolov,VV Thermal oxidation of carbon nanomaterials 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 5 p. 438-441 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011050063
  • Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Леонтьева,ДВ; Куриганова,АБ; Зеленина,НК; Томасов,АА; Кошкина,ДВ; Леонтьев,ИН; Смирнова,НВ Новый метод экспресс-оценки активности металлуглеродных катализаторов для топливных элементов 2011, Альтернативная энергетика и экология, т.12 с. 73-75
  • Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Терукова,ЕЕ; Теруков,ЕИ; Кукушкина,ЮА; Филиппов,АК Углеродные наноструктурированные материалы для активных слоев электрохимических преобразователей энергии 2011, Альтернативная энергетика и экология, т.9 с. 83-91
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Кукушкина,ЮА; Соколов,ВВ Структура и особенности термического окисления углеродных наноструктурированных материалов 2011, Ж. прикл. хим., т.84, 10 с. 1618-1624 Nechitailov,AA; Glebova,NV; Kukushkina,YuA; Sokolov,VV Structure and features of thermal oxidation of carbon nanostructured materials 2011, Russ. J. Appl. Chem., v.84, 10 p. 1710-1715 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1070427211100065
  • Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Гурин,ВН Особенности электровосстановления кислорода на нанокомпозите платинированная углеродная сажа-функционализированные углеродные нанотрубки 2011, Письма ЖТФ, т.37, 14 с. 32-39 Glebova,NV; Nechitailov,AA; Gurin,VNSpecific features of oxygen electroreduction on platinized carbon black-functionalized carbon nanotube composite 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 7 p. 661-663 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785011070236
  • Lashkul,A; Плешаков,ИВ; Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Кузьмин,ЮИ; Матвеев,ВВ; Пятышев,ЕН; Казакин,АН; Глуховской,АВ Исследование композитной структуры магнитоупорядоченный материал-полупроводник на основе пористого кремния и кобальта 2011, Письма ЖТФ, т.37, 14 с. 40-46 Lashkul,A; Pleshakov,IV; Glebova,NV; Nechitailov,AA; Kuzmin,YI; Matveev,VV; Pyatyshev,EN; Kazakin,AN; Glukhovskoi,AV Investigation of composite structure of magnetically ordered material-semiconductor composite based on cobalt and porous silicon 2011, Tech. Phys. Lett., v.37, 7 p. 664-666 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378501107025X
  • Tyaginov,S; Starkov,I; Enichlmair,H; Jungemann,C; Park,JM; Seebacher,E; Orio,R; Ceric,H; Grasser,T An analytical approach for physical modeling of hot-carrier induced degradation 2011, Microelectron. Reliab., v.51, 9-11 SI p. 1525-1529 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2011.07.089