Publications-2012

Below, all publications of the laboratory dated 2012 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 24 entries.

  • Горбатюк,АВ; Иванов,БВ; Панайотти,ИЕ; Серков,ФБ Переходные характеристики реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне 2012, Письма ЖТФ, т.38, 8 с. 81-88 Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV; Panaiotti,IE; Serkov,FB Transient characteristics of reversely switched dynistors in the submicrosecond pulse range 2012, Tech. Phys. Lett., v.38, 4 p. 392-395 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785012040220
  • Ivanov,PA; Grekhov,IV Subnanosecond semiconductor opening switch based on 4H-SiC junction diode SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 Mater. Sci. Forum, v.740-742, p. 865-868 2013 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-303785624-6
  • Ivanov,PA; Grekhov,IV; Potapov,AS; Il`inskaya,ND; Kon`kov,OI; Samsonova,TP Reverse leakage currents in high-voltage 4H-SiC Schottky diodes SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 Mater. Sci. Forum, v.740-742, p. 877-880 2013 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-303785624-6
  • Горбатюк,АВ; Грехов,ИВ; Гусин,ДВ Эффекты локализации тока в мощных биполярных переключателях с микрозатворами при неидеальной связи управляемых элементов 2012, ЖТФ, т.82, 5 с. 57-65 Gorbatyuk,AV; Grekhov,IV; Gusin,DV Effects of current localization in high-power microgate bipolar switches with nonideal interconnection between controlled cells 2012, Tech. Phys., v.57, 5 с. 636-643 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378421205012X
  • Гущина,ЕВ; Анкудинов,АВ; Делимова,ЛА; Юферев,ВС; Грехов,ИВ Микроскопия сопротивления растекания поликристаллических и монокристаллических сегнетоэлектрических пленок ФТТ, т.54, 5, с. 944-946 2012 НАУКА, СПБ ISSN: 0367-3294 XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIX) Москва (19-23 июня 2011 года) Gushchina,EV; Ankudinov,AV; Delimova,LA; Yuferev,VS; Grekhov,IV Spreading resistance microscopy of polycrystalline and single-crystal ferroelectric films 2012, Phys. Solid State, v.54, 5 p. 1005-1007 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063783412050150
  • Иванов,ПА; Грехов,ИВ; Потапов,АС; Коньков,ОИ; Ильинская,НД; Самсонова,ТП; Korol`kov,O; Sleptsuk,N Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой) 2012, ФТП, т.46, 3 с. 411-415 Ivanov,PA; Grekhov,IV; Potapov,AS; Kon`kov,OI; Il`inskaya,ND; Samsonova,TP; Korol`kov,O; Sleptsuk,N Leakage currents in 4H-SiC JBS diodes 2012, Semiconductors, v.46, 3 p. 397-400 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378261203013X
  • Родин,ПБ; Минарский,АМ; Грехов,ИВ Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей 2012, Письма ЖТФ, т.38, 11 с. 78-87 Rodin,PB; Minarsky,AM; Grekhov,IV Numerical Simulation of Spatially Nonuniform Switching in Silicon Avalanche Sharpening Diodes 2012, Tech. Phys. Lett., v.38, 6 p. 535-539 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785012060144
  • Vexler,MI; Grekhov,IV  Tunneling currents in a spherically shaped MIS structure 2012, Semicond. Sci. Technol., v.27, 6 Art No: #065017 DOI:http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/27/6/065017
  • Иванов,ПА; Грехов,ИВ Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC 2012, ФТП, т.46, 4 с. 544-547 Ivanov,PA; Grekhov,IV Subnanosecond 4H-SiC diode current breakers 2012, Semiconductors, v.46, 4 p. 528-531 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782612040100
  • Illarionov,YY; Vexler,MI; Suturin,SM; Fedorov,VV; Sokolov,NS Calcium fluoride barrier layer in tunnel emitter phototransistor 2012, Acta Phys. Pol. A, v.121, 1 p. 158-161 DOI: http://dx.doi.org/10.12693/APhysPolA.121.158
  • Astrova,EV; Ulin,VP; Zharova,YA; Shul`pina,IL; Nashchekin,AV Anisotropy Effects in Electrochemical Etching of p(+)-Si 2012, J. Electrochem. Soc., v.159, 3 p. D172-D180 DOI: http://dx.doi.org/10.1149/2.095203jes
  • Astrova,EV; Zharova,YA Wagon-wheel` mask as a tool to study anisotropy of porous silicon formation rate 2012, Nanoscale Res. Lett., v.7 p. 1-29 DOI: http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-421
  • Dyakov,SA; Baldycheva,A; Perova,TS; Li,GV; Astrova,EV; Gippius,NA; Tikhodeev,SG Surface states in the optical spectra of two-dimensional photonic crystals with various surface terminations 2012, Phys. Rev. B, v.86, 11 Art No: #115126 DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.86.115126
  • Кулова,ТЛ; Астрова,ЕВ; Федулова,ГВ; Скундин,АМ Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов на основе пористого кремния с регулярной структурой 2012, Электрохимическая энергетика, т.12, 1 с. 3-7
  • Rumyantsev,SL; Shur,MS; Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Palmour,JW; Agarwal,AK; Dhar,S 4H-SiC MOSFETs with Si-like low-frequency noise characteristics in SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2011, PTS 1 AND 2 Mater. Sci. Forum, v.717-720, p. 1105-1108 2012 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-303785419-8
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП Низкотемпературные (77-300 K) вольт-амперные характеристики p+-p-n+-диодов на основе 4H-SiC: влияние примесного пробоя в p-базе2012, ФТП, т.46, 4 с. 548-550 Ivanov,PA; Potapov,AS; Samsonova,TP Low-temperature (77-300 K) current-voltage characteristics of 4H-SiC p(+)-p-n(+) diodes: Effect of impurity breakdown in the p-type base 2012, Semiconductors, v.46, 4 p. 532-534 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782612040112
  • Baldycheva,A; Tolmachev,VA; Berwick,K; Perova,TS Multi-channel Si-liquid crystal filter with fine tuning capability of individual channels for compensation of fabrication tolerances 2012, Nanoscale Res. Lett., v.7 Art No: #387 DOI: http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-387
  • Baldycheva,A; Tolmachev,VA; Perova,TSF ine tunable multi-cavity Si photonic crystal filters Proc. SPIE, v.8431, p. #84310H-2012 SPIE ISSN: 0277-786X ISBN: 978-081949123-7
  • Tolmachev,VA; Melnikov,VA; Baldycheva,AV; Berwick,K; Perova,TS Electrically tunable Fabry-Perot resonator based on microstructured Si containing liquid crystal2012, Prog. Electromagn. Res., v.122 p. 293-309 DOI: http://dx.doi.org/10.2528/PIER11091506
  • Tolmachev,VA; Baldycheva,AV; Berwick,K; Perova,TS Influence of fluctuations of the geometrical parameters on the photonic band gaps in one-dimensional photonic crystals 2012, Prog. Electromagn. Res., v.126 p. 285-302 DOI: http://dx.doi.org/10.2528/PIER12020109
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Кошкина,ДВ; Томасов,АА; Терукова,ЕЕ Оптимизация катодного каталитического слоя воздушно-водородного топливного элемента 2012, Альтернативная энергетика и экология, т.1 с. 134-138
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Томасов,АА; Зеленина,НК; Гуревич,СА; Кожевин,ВМ; Явсин,ДА Воздушно-водородные топливные элементы с эффективным электрокатализом 2012, Альтернативная энергетика и экология, т.5-6 с. 17-21
  • Afanasyev,AV; Ivanov,BV; Ilyin,VA; Kardo-Sysoev,AF; Kuznetsova,MA; Luchinin,VV Superfast drift step recovery diodes (DSRDS) and vacuum field emission diodes based on 4H-SiC in SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012 Mater. Sci. Forum, v.740-742, p. 1010-1013 2013 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-303785624-69th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2012; St. Petersburg, Russia; 2-6 September 2012
  • Benwell,A; Burkhart,C; Krasnykh,A; Tang,T; Kardo-Sysoev,A A 5KV, 3MHz solid-state modulator based on the DSRD switch for an ultra-fast beam kicker in PROCEEDINGS OF THE 2012 IEEE INTERNATIONAL POWER MODULATOR AND HIGH VOLTAGE CONFERENCE, IPMHVC 2012, p. 328-331 2012 IEEE ISBN: 978-1-4673-1225-72012 IEEE International Power Modulator and High Voltage Conference, IPMHVC 2012; San Diego, CA, USA; 3-7 June 2012