Publications-2013

Below, all publications of the laboratory dated 2013 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 31 entries.

  • Горбатюк,АВ; Гусин,ДВ; Иванов,БВ Теория и моделирование комбинированных механизмов ограничения области безопасной работы полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники 2013, ФТП, т.47, 3 с. 373-382 Gorbatyuk,AV; Gusin,DV; Ivanov,BV Theory and simulation of combined mechanisms limiting the safe operating area of power semiconductor microelectronic switches 2013, Semiconductors, v.47, 3 p. 396-405 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613030093
  • Грехов,ИВ Силовая электроника на кремнии Петербургская-Ленинградская школа электроники с. 138-149 2013 658 стр., Изд. СПбГЭТУ “ЛЭТИ” ISBN: 978-5-7629-1268-6
  • Грехов,ИВ; Рожков,АВ; Костина,ЛС; Коновалов,АВ; Фоменко,ЮЛ Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением 2013, ЖТФ, т.83, 1 с. 105-109 Grekhov,IV; Rozhkov,AV; Kostina,LS; Konovalov,AV; Fomenko,YL High-voltage field-controlled integrated thyristor 2013, Tech. Phys., v.58, 1 p. 100-104 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784213010088
  • Argunova,TS; Je,JH; Kostina,LS; Rozhkov,AV; Grekhov,IV  Si1-xGex single crystals grown by the Czochralski method: Defects and electrical properties 2013, Acta Phys. Pol. A, v.124, 2 SI p. 239-243 DOI: http://dx.doi.org/10.12693/APhysPolA.124.239
  • Vexler,MI; Grekhov,IV; Lutsev,LV Metal-insulator-semiconductor tunnel emitter transistor as a spintronic device: A concept2013, J. Appl. Phys., v.113, 4 Art No: #044518 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4789386
  • Грехов,ИВ; Гусин,ДВ; Иванов,БВ; Рожков,АВ Инжекционно-ионизационный механизм неустойчивости тока при выключении интегрального тиристора с полевым управлением 2013, Письма ЖТФ, т.39, 23 с. 18-25 Grekhov,IV; Gusin,DV; Ivanov,BV; Rozhkov,AV Injection ionization mechanism of current instability during switching off an integrated field controlled thyristor 2013, Tech. Phys. Lett., v.39, 12 p. 1036-1039 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785013120092
  • Illarionov,YuYu; Vexler,MI; Fedorov,VV; Suturin,SM; Sokolov,NS Light emission from the Au/CaF2/p-Si(111) capacitors: Evidence for an elastic electron tunneling through a thin (1-2 nm) fluoride layer 2013, Thin Solid Films, v.545 p. 580-583 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.07.050
  • Карева,ГГ; Векслер,МИ Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/p-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод 2013, ФТП, т.47, 8 с. 1087-1093 Kareva,GG; Vexler,MI Electrical phenomena in a metal/nanooxide/p(+)-silicon structure during its transformation to a resonant-tunneling diode2013, Semiconductors, v.47, 8 p. 1084-1089 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613080083
  • Kareva,GG; Vexler,MI; Illarionov,YY Transformation of a metal-insulator-silicon structure into a resonant-tunneling diode 2013, Microelectron. Eng., v.109 p. 270-273 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.063
  • Bora,A; Pathak,A; Liao,K-; Vexler,MI; Kuligk,A; Cattani-Scholz,A; Meinerzhagen,B; Abstreiter,G; Schwartz,J; Tornow,M Organophosphonates as model system for studying electronic transport through monolayers on SiO2/Si surfaces 2013, Appl. Phys. Lett., v.102, 24 Art No: #241602 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4811441
  • Векслер,МИ; Тягинов,СЭ; Илларионов,ЮЮ; Yew Kwang_Sing; Ang Diing_Shenp; Федоров,ВВ; Isakov,D Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП структур 2013, ФТП, т.47, 5 с. 675-683 Vexler,MI; Tyaginov,SE; Illarionov,YY; Sing,YK; Shenp,AD; Fedorov,VV; Isakov,DV A general simulation procedure for the electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor tunnel structures 2013, Semiconductors, v.47, 5 p. 686-694 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613050230
  • Илларионов,ЮЮ; Векслер,МИ; Isakov,D; Федоров,ВВ; Yew Kwang Sing Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя 2013, Письма ЖТФ, т.39, 19 с. 76-85 Illarionov,YY; Vexler,MI; Isakov,D; Fedorov,VV; Sing,YK Analysis of the electroluminescence features of silicon metal-insulator-semiconductor structures as a tool for diagnostics of the injection properties of a dielectric layer 2013, Tech. Phys. Lett., v.39, 10 p. 878-882 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785013100040
  • Делимова,ЛА; Юферев,ВС Экспериментальное исследование величины встроенного поля в межзеренных каналах тонких сегнетоэлектрических пленок Pb(Zr,Ti)O3 2013, ФТТ, т.55, 3 с. 485-488 Delimova,LA; Yuferev,VS Experimental study of the built-in field in intergrain channels of thin ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 films 2013, Phys. Solid State, v.55, 3 p. 536-539 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063783413030062
  • Li,GV; Astrova,EV; Dyakov,SA; Baldycheva,A; Perova,TS; Tikhodeev,SG; Gippius,NA Surface Tamm states in a photonic crystal slab with asymmetric termination 2013, Phys. Status Solidi-Rapid Res. Lett., v.7, 7 p. 481-484 DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201307151
  • Astrova,EV; Zharova,YA; Ulin,VP; Enicheva,GV Anisotropy of porous silicon formation rate in p-Si 2013, Phys. Status Solidi A-Appl. Mat., v.210, 4 SI p. 723-727 DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201200472
  • Li,GV; Astrova,EV; Zharova,YA; Dyakov,SA; Baldycheva,AV; Perova,TS; Gippius,NA; Tikhodeev,SG Tunable microcavity based on macroporous silicon: Feasibility of fabrication 2013, J. Lightwave Technology, v.31, 16 p. 2694-2700 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/JLT.2013.2272037
  • Черниенко,АВ; Астрова,ЕВ; Жарова,ЮА Зигзагообразные структуры, полученные анизотропным травлением макропористого кремния 2013, Письма ЖТФ, т.39, 22 с. 17-24 Chernienko,AV; Astrova,EV; Zharova,YA Zigzag structures obtained by anisotropic etching of macroporous silicon 2013, Tech. Phys. Lett., v.39, 11 p. 990-993 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785013110175
  • Ли,ГВ; Кулова,ТЛ; Толмачев,ВА; Черниенко,АВ; Баранов,МА; Павлов,СИ; Астрова,ЕВ; Скундин,АМ Трансформация структуры анодов из макропористого кремния в результате процессов циклического литирования 2013, ФТП, т.47, 9 с. 1288-1294 Li,GV; Kulova,TL; Tolmachev,VA; Chernienko,AV; Baranov,MA; Pavlov,SI; Astrova,EV; Skundin,AM Structural transformation of macroporous silicon anodes as a result of cyclic lithiation processes 2013, Semiconductors, v.47, 9 p. 1275-1281 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613090133
  • Иванов,ПА; Ильинская,НД; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Афанасьева,АВ; Ильин,ВИ Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC диодов с барьером Шоттки 2013, ФТП, т.47, 1 с. 83-86 Ivanov,PA; Il`inskaya,ND; Potapov,AS; Samsonova,TP; Afanas`ev,AV; Il`in,VA Effect of rapid thermal annealing on the current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky diodes 2013, Semiconductors, v.47, 1 p. 81-84 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613010132
  • Юферев,ВС; Левинштейн,МЕ; Иванов,ПА; Zhang,QJ; Agarwal,AK; Palmour,JW Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах 2013, ФТП, т.47, 8 с. 1071-1077 Yuferev,VS; Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Zhang,QJ; Agarwal,AK; Palmour,JW Transient processes in high-voltage silicon carbide bipolar-junction transistors 2013, Semiconductors, v.47, 8 p. 1068-1074 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613080228
  • Кудоярова,ВХ; Толмачев,ВА; Гущина,ЕВ Исследование состава, структуры и оптических свойств пленок a-Si1-xCx:H‹Er›, легированных эрбием из комплексного соединения Er(pd)3 2013, ФТП, т.47, 3 с. 353-359 Kudoyarova,VK; Tolmachev,VA; Gushchina,EV Study of the composition, structure, and optical properties of a-Si1-xCx:H‹Er› films erbium doped from the Er(pd)3 complex compound 2013, Semiconductors, v.47, 3 p. 376-382 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613030147
  • Tolmachev,VA; Berwick,K; Perova,TS The influence of light beam convergence on the stop-bands of a one-dimensional photonic crystal 2013, Prog. Electromagn. Res., v.140 p. 369-384 DOI: http://dx.doi.org/10.2528/PIER13041703
  • Atrashchenko,AV; Shadrivov,IV; Ulin,VP; Li,GV; Belov,PA; Kivshar,YuS Hyperbolic metamaterials for terahertz applicationsin 2013 7TH INTERNATIONAL CONGRESS ON ADVANCED ELECTROMAGNETIC MATERIALS IN MICROWAVES AND OPTICS, METAMATERIALS  2013 , p. 331-333 2013 IEEE COMPUTER SOCIETYISBN: 978-1-4799-1232-27th International Congress on Advanced Electromagnetic Materials in Microwaves and Optics – Metamaterials 2013, Bordeaux, France, 16-21 September 2013
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Томасов,АА; Зеленина,НК Возможности метода динамических разрядных кривых при исследовании топливных элементов для воздушно-водородного источника тока 2013, Научное приборостроение, т.23, 4 с. 54-62
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ Исследование стабильности нанокомпозита платинированной углеродной сажи и углеродных нанотрубок как электрокатализатора топливных элементов 2013, Электрохимическая энергетика, т.13, 4 с. 192-200
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Кошкина,ДВ; Томасов,АА; Зеленина,НК; Терукова,ЕЕ Особенности функционирования мембранно-электродного блока в составе воздушно-водородного топливного элемента 2013, Письма ЖТФ, т.39, 17 с. 17-26 Nechitailov,AA; Glebova,NV; Koshkina,DV; Tomasov,AA; Zelenina,NK; Terukova,EE Specific features of operation of a membrane-electrode assembly of an air-hydrogen fuel cell 2013, Tech. Phys. Lett., v.39, 9 p. 762-766 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785013090113
  • Merensky,LM; Kesar,AS; Kardo-Sysoev,AF Efficiency study of a 2.2-kV, 1-ns, 1-MHz pulsed power generator based on a drift-step-recovery diode in 2013 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROWAVES, COMMUNICATIONS, ANTENNAS AND ELECTRONIC SYSTEMS, COMCAS 2013 , p. #6685238-2013 IEEE ISBN: 978-1-4673-5756-2 2013 IEEE International Conference on Microwaves, Communications, Antennas and Electronic Systems, COMCAS 2013; 21-23 October 2013; Tel Aviv, Israel
  • Merensky,LM; Kardo-Sysoev,AF; Shmilovitz,D; Kesar,AS Efficiency study of a 2.2 kV, 1 ns, 1 MHz pulsed power generator based on a drift-step-recovery diode 2013, IEEE Trans. Plasma Sci., v.41, 11 p. 3138-3142 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TPS.2013.2284601
  • Афанасьев,АВ; Демин,ЮА; Иванов,БВ; Ильин,ВА; Кардо-Сысоев,АФ; Лучинин,ВВ; Смирнов,АА Высоковольтный миниатюрный карбидокремниевый источник наносекундных импульсов для генерации рентгеновского и микроволнового излучений 2013, Нано- и микросистемная техника, т.2 с. 30-32
  • Кардо-Сысоев,АФ; Французов,АД Метод двух идентичных антенн для измерения импульсного коэффициента усиления 2013, Изв. ВУЗов России. Радиоэлектроника, т.4 с. 3-8
  • Kesar,AS; Merensky,LM; Ogranovich,M; Kardo-Sysoev,AF; Shmilovitz,D 6-kV, 130-ps rise-time pulsed-power circuit featuring cascaded compression by fast recovery and avalanche diodes 2013, Electron. Lett., v.49, 24 p. 1539-1540 DOI: http://dx.doi.org/10.1049/el.2013.2129