Publications-2014

Below, all publications of the laboratory dated 2014 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 21 entries.

  • Слипченко,СО; Подоскин,АА; Васильева,ВВ; Пихтин,НА; Рожков,АВ; Горбатюк,АВ; Золотарев,ВВ; Веселов,ДА; Жаботинский,АВ; Петухов,АА; Тарасов,ИС; Багаев,ТА; Зверков,МВ; Коняев,ВП; Курнявко,ЮВ; Ладугин,МА; Лобинцов,АВ; Мармалюк,АА; Падалица,АА; Симаков,ВА Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890-910 нм 2014, ФТП, т.48, 5 с. 716-718 Slipchenko,SO; Podoskin,AA; Vasil`eva,VV; Pikhtin,NA; Rozhkov,AV; Gorbatyuk,AV; Zolotarev,VV; Veselov,DA; Jabotinskii,AV; Petukhov,AA; Tarasov,IS; Bagaev,TA; Zverkov,MV; Konyaev,VP; Kurniavko,YV; Ladugin,MA; Lobintsov,AV; Marmalyuk,AA; Padalitsa,AA; Simakov,VA On the control efficiency of a high-power laser thyristor emitting in the 890-910 nm spectral range 2014, Semiconductors, v.48, 5 p. 697-699 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782614050224
  • Брылевский,ВИ; Смирнова,ИА; Родин,ПБ; Грехов,ИВ Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными p-n-переходами 2014, Письма ЖТФ, т.40, 8 с. 80-87 Brylevskii,VI; Smirnova,IA; Rodin,PB; Grekhov,IV Subnanosecond avalanche switching in high-voltage silicon diodes with abrupt and graded p-n junctions 2014, Tech. Phys. Lett., v.40, 4 p. 357-360 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785014040166
  • Грехов,ИВ; Костина,ЛС; Ломасов,ВН; Юсупова,ША; Белякова,ЕИ Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния 2014, Письма ЖТФ, т.40, 23 с. 67-73 Grekhov,IV; Kostina,LS; Lomasov,VN; Yusupova,SA; Belyakova,EI The formation of shallow-donor distribution profiles in proton irradiation of silicon 2014, Tech. Phys. Lett., v.40, 12 p. 1069-1071 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785014120086
  • Делимова,ЛА; Гущина,ЕВ; Юферев,ВС; Грехов,ИВ Исследование поляризационной зависимости переходного тока в поликристаллических и эпитаксиальных тонких пленках Pb(Zr,Ti)O3 2014, ФТТ, т.56, 12 с. 2366-2375 Delimova,LA; Gushchina,EV; Yuferev,VS; Grekhov,IV Investigation of the polarization dependence of the transient current in polycrystalline and epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 thin films 2014, Phys. Solid State, v.56, 12 p. 2451-2460 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063783414120099
  • Illarionov,YuYu; Vexler,MI; Fedorov,VV; Suturin,SM; Sokolov,NS Electrical and optical characterization of Au/CaF2/p-Si(111) tunnel-injection diodes 2014, J. Appl. Phys., v.115, 22 Art No: #223706 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4882375
  • Vexler,MI A wire-form emitter metal-insulator-semiconductor tunnel junction 2014, Curr. Appl. Phys., v.14, 3 p. 306-311 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2013.12.002
  • Tyaginov,SE; Illarionov,YY; Vexler,MI; Bina,M; Cervenka,J; Franco,J; Kaczer,B; Grasser,T Modeling of deep-submicron silicon-based MISFETs with calcium fluoride dielectric 2014, J. Comput. Electron., v.13, 3 p. 733-738 DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s10825-014-0593-9
  • Карева,ГГ; Векслер,МИ Туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором на базе конденсатора p+-Si/нано-SiO2/n+-Si2014, ФТП, т.48, 10 с. 1416-1420 Kareva,GG; Vexler,MI p (+)-Si/nano-SiO2/n (+)-Si capacitor-based tunnel diode with negative differential resistance and a quartz resonator 2014, Semiconductors, v.48, 10 p. 1381-1384 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782614100145
  • Astrova,EV Oxidation of Macroporous Silicon in Handbook of Porous Silicon , p. 589-598 2014 1017 p., SPRINGER ISBN: 978-3-319-05743-9
  • Loponov,KN; Lopes,J; Barlog,M; Astrova,EV; Malkov,AV; Lapkin,AA Optimization of a scalable photochemical reactor for reactions with singlet oxygen 2014, Org. Process Res. Dev., v.18, 11 p. 1443-1454 DOI: http://dx.doi.org/10.1021/op500181z
  • Astrova,EV; Zharova,YA Anisotropy of the porous layer formation rate in silicon with various acceptor concentrations in GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XV Solid State Phenom., v.205-206, p. 370-375 2014 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 1012-0394 ISBN: 978-303785824-0 15th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST), St Johns Coll, Oxford, ENGLAND, Sept. 22-27, 2013
  • Shabunina,EI; Levinshtein,ME; Shmidt,NM; Ivanov,PA; Palmour,JW; Cheng,L Low frequency noise in 4H-SiC Schottky diodes under forward bias in SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2014 Mater. Sci. Forum, v.821-823, p. 559-562 2015 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-3-03835-478-9 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France
  • Perova,TS; Tolmachev,VA; Berwick,K Chapter 11. Design of Composite and Multi-Component One-Dimensional Photonic Crystal Structures Based on Silicon in Nanostructured Semiconductors. From base to applications, p. 453-526 2014 684 стр., PAN STANFORD PUBLISHING ISBN: 978-981-431-690-3
  • Ryzhov,VA; Pleshakov,IV; Nechitailov,AA; Glebova,NV; Pyatyshev,EN; Malkova,AV; Kiselev,IA; Matveev,VV Magnetic Study of Nanostructural Composite Material Based on Cobalt Compounds and Porous Silicon 2014, Appl. Magn. Reson., v.45, 4 p. 339-352 DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s00723-014-0527-5
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ О механизме влияния кислородно-модифицированных углеродных нанотрубок на кинетику электровосстановления кислорода на платине 2014, Электрохимия, т.50, 8 с. 835-840 Nechitailov,AA; Glebova,NV Mechanism of the effect of oxygen-modified carbon nanotubes on the kinetics of oxygen electroreduction on platinum 2014, Russ. J. Electrochem., v.50, 8 p. 751-755 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1023193514080102
  • Afanasyev,AV; Ivanov,BV; Ilyin,VA; Kardo-Sysoev,AF; Luchinin,VV; Reshanov,SA; Schoner,A; Smirnov,AA Temperature dependence of minority carrier lifetime in epitaxially grown p+-p–n+ 4H-SiC drift step recovery diodes in SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2014 Mater. Sci. Forum, v.821-823, p.632-635 2015 TRANS TECH PUBLICATIONS LTDISSN: 0255-5476 ISBN: 978-3-03835-478-910 th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM 2014), September 21-25, 2014, Grenoble, France
  • Афанасьев,АВ; Иванов,БВ; Ильин,ВА; Кардо-Сысоев,АФ; Тихомиров,ВИ; Смирнов,АА Компактный автономный генератор субнаносекундных импульсов для сверхширокополосных систем 2014, Нелинейный мир, т.12, 5 с. 54-58
  • Merensky,LM; Kardo-Sysoev,AF; Shmilovitz,D; Kesar,AS The driving conditions for obtaining subnanosecond high-voltage pulses from a silicon-avalanche-shaper diode 2014, IEEE Trans. Plasma Sci., v.42, 12 p. 4015-4019 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TPS.2014.2366551
  • Коротков,СВ; Аристов,ЮВ; Воронков,ВБ; Коротков,ДА Исследование динисторных коммутаторов с наносекундным временем переключения 2014, ПТЭ, т.4  Korotkov,SV; Aristov,YuV; Voronkov,VB; Korotkov,DA Studying dynistor switches with nanosecond switching times 2014, Instrum. Exp. Tech., v.57, 4 p. 437-442 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S002044121404006X
  • Illarionov,YuYu; Smith,AD; Vaziri,S; Ostling,M; Mueller,T; Lemme,MC; Grasser,T Bias-temperature instability in single-layer graphene field-effect transistors 2014, Appl. Phys. Lett., v.105, 14 Art No: #143507 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4897344
  • Illarionov,YY; Bina,M; Tyaginov,SE; Grasser,T An analytical approach for the determination of the lateral trap position in ultra-scaled MOSFETs 2014, Jpn. J. Appl. Phys., v.53, 4 SI Art No: #04EC22 DOI: http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.53.04EC22