Publications-2015

Below, all publications of the laboratory dated 2015 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 37 entries.

  • Eremin,V; Kiselev,O; Egorov,N; Eremin,I; Tuboltsev,Y; Verbitskaya,E; Gorbatyuk,A Picosecond timing of high-energy heavy ions with semiconductor detectors 2015, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A-Accel. Spectrom. Dect. Assoc. Equip., v.796 с. 158-164 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.05.022 Slipchenko,SO; Podoskin,AA; Pikhtin,NA; Tarasov,IS; Gorbatyuk,AV Model of Steady-State Injection Processes in a High-Power Laser-Thyristor Based on Heterostructure With Internal Optical Feedback 2015, IEEE Trans. Electron Devices, v.62, 1 p. 149-154 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2014.2372317
  • Бономорский,ОИ; Кюрегян,АС; Горбатюк,АВ; Иванов,БВ Сравнительный анализ статических характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором и тиристоров с полевым управлением 2015, Электротехника, т.2 с. 51-56 Bonomorskii,OI; Kyuregyan,AS; Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV Comparative analysis of static characteristics of insulated gate bipolar transistors and thyristors with static induction 2015, Russ. Electr. Eng., v.86, 2 p. 93-97
  • Горбатюк,АВ; Иванов,БВ Имитационное моделирование субмикросекундных режимов работы высоковольтных реверсивно-включаемых динисторов 2015, ЖТФ, т.85, 8 с. 94-99 Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV Simulation modeling of submicrosecond operating conditions for high-voltage reversely switched dynistors 2015, Tech. Phys., v.60, 8 p. 1198-1203 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784215080071
  • Горбатюк,АВ; Иванов,БВ Эффективный способ уменьшения порога управляемого запуска быстродействующих реверсивно-включаемых динисторов 2015, Письма ЖТФ, т.41, 7 с. 28-35 Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV An Efficient Method for Reducing the Threshold of Controlled Triggering of Fast Reversely Switched Dinistors 2015, Tech. Phys. Lett., v.41, 4 p. 320-323 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785015040082
  • Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Смирнова,ИА Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах 2015, ЖТФ, т.85, 11с. 104-108 Grekhov,IV; Lyublinskii,AG; Smirnova,IA Analysis of nanosecond breaking of a high-density current in SOS diodes 2015, Tech. Phys., v.60, 11 p. 1677-1681 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784215110134
  • Грехов,ИВ; Жмодиков,АЛ; Коротков,СВВысоковольтный импульсный интегральный тиристор 2015, ПТЭ, т.1 с. 67-69 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S0032816215010292 Grekhov,IV; Zhmodikov,AL; Korotkov,SV A high-voltage pulse integrated thyristor 2015, Instrum. Exp. Tech., v.58, 1 p. 67-69 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0020441215010273
  • Иванов,ПА; Коньков,ОИ; Самсонова,ТП; Потапов,АС; Грехов,ИВ Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiCФТП, т.49, 11, с. 1558-1562 2015 НАУКА, СПБ ISSN: 0015-3222 XIX симпозиум “Нанофизика и Наноэлектроника”, Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. Ivanov,PA; Kon`kov,OI; Samsonova,TP; Potapov,AS; Grekhov,IV Dynamic characteristics of 4H-SiC drift step recovery diodes Semiconductors, v.49, 11, p. 1511-1515 2015 MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER ISSN: 1063-7826 XIX Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 10–14, 2015
  • Иванов,ПА; Грехов,ИВ Высоковольтные дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе 4H-SiC: теоретическая оценка предельных параметров 2015, ЖТФ, т.85, 6 с. 111-117 Ivanov,PA; Grekhov,IV High-voltage sharp-recovery 4H:SiC drift diodes: Theoretical estimation of limiting parameters 2015, Tech. Phys., v.60, 6 p. 897-902 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784215060092
  • Delimova,LA; Guschina,EV; Yuferev,VS; Grekhov,IV; Zaiceva,NV; Sharenkova,NV; Seregin,DS; Vorotilov,KA; Sigov,AS Giant Self-Polarization in FeRAM Element Based on Sol-Gel PZT Films 2014 MRS FALL MEETING – MATERIALS AND TECHNOLOGY FOR NONVOLATILE MEMORIES Mater. Res. Soc. Symp. Proc., v.1729, p. 1-6 2015 MATERIALS RESEARCH SOCIETY ISSN: 0272-9172 Symposium M: Materials and Technology for Nonvolatile Memories, 2014 MRS Fall Meeting and Exhibit, November 30-December 5, 2014, Boston, Massachusetts USA
  • Delimova,LA; Guschina,EV; Yuferev,VS; Grekhov,IV; Seregin,DS; Vorotilov,KA; Sigov,AS Electrophysical Properties of Integrated Ferroelectric Capacitors Based on Sol-Gel PZT Films Ferroelectrics, v.484, 1, SI, p. 32-42 2015 TAYLOR & FRANCIS LTD ISSN: 0015-0193 The Joint International 12th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity and 9th International Conference on Functional Materials and Nanotechnologies (RCBJSF-2014-FM&NT)
  • Векслер,МИ; Илларионов,ЮЮ; Тягинов,СЭ; Grasser,T Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF2/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов 2015, ФТП, т.49, 2 с. 266-270 Vexler,MI; Illarionov,YY; Tyaginov,SE; Grasser,T Adaptation of the model of tunneling in a metal/CaF2/Si(111) system for use in industrial simulators of MIS devices 2015, Semiconductors, v.49, 2 p. 259-263 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782615020207
  • Illarionov,YY; Vexler,MI; Karner,M; Tyaginov,SE; Cervenka,J; Grasser,T  TCAD simulation of tunneling leakage current in CaF2/Si(111) MIS structures 2015, Curr. Appl. Phys., v.15, 2 p. 78-83 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2014.10.015
  • Векслер,МИ Повышение эффективности кремниевого туннельного МДП-инжектора горячих электронов при использовании оксидов с большой диэлектрической проницаемостью 2015, Письма ЖТФ, т.41, 17 с.: 103-110 Vexler,MI Increasing the efficiency of a silicon tunnel MIS injector of hot electrons by using high-K oxides 2015, Tech. Phys. Lett., v.41, 9 p. 863-866 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785015090102
  • Kareva,GG; Vexler,MI Simulation of electron transport in metal/high-k-oxide/SiO2/p(+)Si resonant-tunneling diodes 2015, Microelectron. Eng., v.147 p. 223-226 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.092
  • Делимова,ЛА; Гущина,ЕВ; Юферев,ВС; Ратников,ВВ; Зайцева,НВ; Шаренкова,НВ; Серегин,ДС; Воротилов,КА; Сигов,АС Особенности электрических характеристик элементов сегнетоэлектрической памяти на основе PZT-пленок 2015, Изв. ВУЗов. Физика, т.58, 9 с. 88-92 Delimova,LA; Gushchina,EV; Yuferev,VS; Ratnikov,VV; Zaitseva,NV; Sharenkova,NV; Seregin,DS; Vorotilov,KA; Sigov,AS Peculiarities of Electrical Characteristics of Ferroelectric Memory Elements Based on PZT-Films 2016, Russ. Phys. J., v.58, 9 p. 1301-1305 DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s11182-016-0647-5
  • Астрова,ЕВ; Парфеньева,АВ; Ли,ГВ; Жарова,ЮА Анизотропный шейпинг макропористого кремния 2015, ФТП, т.49, 4 с. 561-568 Astrova,EV; Parfeneva,AV; Li,GV; Zharova,YA Anisotropic shaping of macroporous silicon 2015, Semiconductors, v.49, 4 p. 551-558 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782615040041
  • Астрова,ЕВ; Ли,ГВ; Парфеньева,АВ; Румянцев,АМ; Жданов,ВВ; Павлов,СИ; Левицкий,ВС; Теруков,ЕИ; Давыдов,ВЮ Исследование структуры и состава кремниевых микроструктур, подвергшихся циклическому внедрению и экстракции лития 2015, ЖТФ, т.85, 4 с. 52-61 Astrova,EV; Li,GV; Parfen`eva,AV; Rumyantsev,AM; Zhdanov,VV; Pavlov,SI; Levitskii,VS; Terukov,EI; Davydov,VY Structure and composition of silicon microarrays subjected to cyclic insertion and extraction of lithium 2015, Tech. Phys., v.60, 4 p. 531-540 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784215040040
  • Ли,ГВ; Астрова,ЕВ; Румянцев,АМ; Воронков,ВБ; Парфеньева,АВ; Толмачев,ВА; Кулова,ТЛ; Скундин,АМ Кремниевые микроструктурированные аноды для литий-ионных аккумуляторов 2015, Электрохимия, т.51, 10 с. 1020-1029 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S0424857015100084 Li,GV; Astrova,EV; Rumyantsev,AM; Voronkov,VB; Parfen`eva,AV; Tolmachev,VA; Kulova,TL; Skundin,AM Microstructured silicon anodes for lithium-ion batteries 2015, Russ. J. Electrochem., v.51, 10 p. 899-907 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1023193515100080
  • Иванов,ПА; Самсонова,ТП; Ильинская,НД; Серебренникова,ОЮ; Коньков,ОИ; Потапов,АС Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока 2015, ФТП, т.49, 7 с. 951-955 Ivanov,PA; Samsonova,TP; Il`inskaya,ND; Serebrennikova,OY; Kon`kov,OI; Potapov,AS Resistance of 4H-SiC Schottky barriers at high forward-current densities 2015, Semiconductors, v.49, 7 p. 930-934 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782615070106
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП Влияние ударной ионизации примесей на динамические характеристики (p+)-(n-)-(n+)-диодов на основе 4H-SiC при низкой температуре (77 K) 2015, ФТП, т.49, 7 с. 999-1002 Ivanov,PA; Potapov,AS; Samsonova,TP Effect of impurity impact ionization on the dynamic characteristics of 4H-SiC (p+)-(n-)-(n+)-diodes at low temperatures (77 K) 2015, Semiconductors, v.49, 7 p. 976-979 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782615070118
  • Palmour,JW; Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Zhang,QJ Surge current capabilities and isothermal current-voltage characteristics of high-voltage 4H-SiC junction barrier Schottky rectifiers2015, J. Phys. D-Appl. Phys., v.48, 23 Art No: #235103 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/48/23/235103
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Николаев,АЕ; Лундин,ВВ; Сахаров,АВ; Цацульников,АФ; Афанасьев,АВ; Романов,АА; Осачев,ЕВ Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al2O3/n-GaN 2015, ФТП, т.49, 8 с. 1061-1064 Ivanov,PA; Potapov,AS; Nikolaev,AE; Lundin,VV; Sakharov,AV; Tsatsulnikov,AF; Afanas`ev,AV; Romanov,AA; Osachev,EV Capacitance-voltage characteristics of (Al/Ti)/Al2O3/n-GaN MIS structures 2015, Semiconductors, v.49, 8 p. 1035-1038 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782615080096
  • Мавлянов,РК; Виноградов,АЯ; Толмачев,ВА Исследование оптических свойств слоев цирконат-титаната свинца, получаемых методом магнетронного распыления 2015, Оптич. ж., т.82, 2 с. 3-8 Mavlyanov,RK; Vinogradov,AY; Tolmachev,VA Study of the optical properties of lead zirconate-titanate layers obtained by magnetron sputtering 2015, J. Opt. Technol., v.82, 2 p. 64-67 DOI: http://dx.doi.org/10.1364/JOT.82.000064
  • Tolmachev,VA; Zharova,YA; Perova,TS; Melnikov,VA; Dyakov,SA Optical Spectra of Composite One-Dimensional Photonic Crystals with Extended Stop Bands Based on a Si-Air Structure 2015, J. Lightwave Technology, v.33, 17 p. 3577-3583 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/JLT.2015.2444356
  • Zharova,YA Influence of composition of aqueous electrolytes on anisotropy of porous layer formation rate in heavily doped silicon in GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 2015 Solid State Phenom., v.242, p. 408-413 2016 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 1012-0394 ISBN: 978-303-835-608-0 16th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology, GADEST 2015; 20 September 2015 through 25 September 2015
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Краснова,АО; Томасов,АА; Зеленина,НК Особенности массового транспорта на катоде водородного топливного элемента в присутствии углеродных нанотрубок 2015, ЖТФ, т.85, 11 с. 97-103 Nechitailov,AA; Glebova,NV; Krasnova,AO; Tomasov,AA; Zelenina,NK Mass transport at the cathode of a hydrogen fuel cell in the presence of carbon nanotubes 2015, Tech. Phys., v.60, 11 p. 1670-1676 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784215110213
  • Leontyev,IN; Leontyeva,DV; Kuriganova,AB; Popov,YV; Maslova,OA; Glebova,NV; Nechitailov,AA; Zelenina,NK; Tomasov,AA; Hennet,L; Smirnova,NV Characterization of the electrocatalytic activity of carbon-supported platinum-based catalysts by thermal gravimetric analysis 2015, Mendeleev Commun., v.25, 6 p. 468-469 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mencom.2015.11.024
  • Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Краснова,АО; Томасов,АА; Зеленина,НК Катод водородного топливного элемента с модифицированными структурой и гидрофобностью 2015, Ж. прикл. хим., т.88, 5 с. 726-731 Glebova,NV; Nechitailov,AA; Krasnova,AO; Tomasov,AA; Zelenina,NK Cathode of hydrogen fuel cell, with modified structure and hydrophobicity 2015, Russ. J. Appl. Chem., v.88, 5 p. 769-774 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1070427215050080
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Краснова,АО; Томасов,АА; Зеленина,НК Вольтамперометрический метод измерения удельной площади поверхности и количества платины в микрообъектах электродного материала и мембранно-электродных блоках водородного топливного элемента 2015, Письма ЖТФ, т.41, 14 с. 97-102 Nechitailov,AA; Glebova,NV; Krasnova,AO; Tomasov,AA; Zelenina,NK A voltammetric method of measuring the specific surface area and amount of platinum in microsamples of electrode material and membrane-electrode assembly of hydrogen fuel cells 2015, Tech. Phys. Lett., v.41, 7 p. 710-712 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785015070275
  • Афанасьев,АВ; Демин,ЮА; Иванов,БВ; Ильин,ВА; Лучинин,ВВ; Сергушичев,КА; Смирнов,АА; Кардо-Сысоев,АФ Мегаваттный генератор наносекундных импульсов на основе карбидокремниевых дрейфовых диодов с резким восстановлением 2015, Изв. ВУЗов России. Радиоэлектроника, т.3 с. 21-24
  • Иванов,БВ; Смирнов,АА; Шевченко,СА; Кардо-Сысоев,АФ Формирование наносекундных импульсов напряжения дрейфовыми диодами с резким восстановлением 2015, Изв. ВУЗов России. Радиоэлектроника, т.3 с. 25-29
  • Смирнов,АА; Иванов,БВ; Кардо-Сысоев,АФ; Шевченко,СА Исследование процесса формирования субнаносекундных перепадов напряжения карбид-кремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением 2015, Интернет-журнал Науковедение, т.7, 4 Art No: #97 DOI: http://dx.doi.org/10.15862/141TVN415
  • Афанасьев,АВ; Иванов,БВ; Ильин,ВА; Кардо-Сысоев,АФ; Лучинин,ВВ; Смирнов,АА; Шевченко,СА Исследование процесса переключения карбидокремниевых дрейфовых диодов с резким восстановлением В книге (сборнике): ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ – 2015 Электроника и микроэлектроника СВЧ, т.2, 1, с. 215-219 2015 300 стр., СПбГЭТУ “ЛЭТИ” ISBN: 978-5-7629-1634-9 Всероссийская конференция “Электроника и микроэлектроника СВЧ”; Санкт-Петербург, Россия; 1-4 июня 2015 г.
  • Коротков,СВ; Воронков,ВБ; Аристов,ЮВ Генератор наносекундных импульсов с оптимизированным диодным коммутатором 2015, ПТЭ, т.4 с. 48-52 Korotkov,SV; Voronkov,VB; Aristov,YV A nanosecond-pulse generator with an optimized diode switch 2015, Instrum. Exp. Tech., v.58, 4 p. 488-492 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0020441215040077
  • Sharma,P; Tyaginov,S; Jech,M; Wimmer,Y; Rudolf,F; Enichlmair,H; Park,JM; Ceric,H; Grasser,T The role of cold carriers and the multiple-carrier process of Si-H bond dissociation for hot-carrier degradation in n- and p-channel LDMOS devices 2015 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON Solid-State Electron., v.115, B p. 185-191 2016 PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD ISSN: 0038-1101 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon; Bologna, Italy; 26-28 January 2015
  • Sharma,P; Tyaginov,S; Wimmer,Y; Rudolf,F; Rupp,K; Enichlmair,H; Park,JM; Ceric,H; Grasser,T Comparison of analytic distribution function models for hot-carrier degradation modeling in nLDMOSFETs 2015, Microelectron. Reliab., v.55, 9-10 p. 1427-1432 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2015.06.021
  • Tyaginov,S; Bina,M; Franco,J; Wimmer,Y; Kaczer,B; Grasser,T On the importance of electron-electron scattering for hot-carrier degradation 2015, Jpn. J. Appl. Phys., v.54, 4 Art No: #04DC18 DOI: http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.54.04DC18