Publications-2016

Below, all publications of the laboratory dated 2016 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 34 entries.

  • Кюрегян,АС; Горбатюк,АВ; Иванов,БВ Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ-МОП транзисторов 2016, ФТП, т.50, 7 с. 973-978 Kyuregyan,AS; Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV Effect of the anode-emitter injection efficiency on the characteristics of hybrid SIT-MOS transistors 2016, Semiconductors, v.50, 7 p. 957-962 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782616070137
  • Иванов,МС; Родин,ПБ; Иванов,ПА; Грехов,ИВ Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона 2016, Письма ЖТФ, т.42, 1 с. 87-94 Ivanov,MS; Rodin,PB; Ivanov,PA; Grekhov,IV Parameters of silicon carbide diode avalanche shapers for the picosecond range 2016, Tech. Phys. Lett., v.42, 1 p. 43-46 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785016010090
  • Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ Мощный диодный наносекундный размыкатель тока на основе p-кремния (p-SOS) 2016, ЖТФ, т.86, 3 с. 106-109 Grekhov,IV; Lyublinskii,AG; Belyakova,EI Powerful diode nanosecond current opening switch made of p-silicon (p-SOS) 2016, Tech. Phys., v.61, 3 p. 424-427 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784216030087
  • Иванов,ПА; Грехов,ИВ Параметры импульсных генераторов с ДДРВ на основе 4H-SiC: влияние эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов 2016, ЖТФ, т.86, 2 с. 85-88 Ivanov,PA; Grekhov,IV Parameters of pulse generators based on 4H:SiC sharp-recovery drift diodes: The influence of electron drift velocity saturation 2016, Tech. Phys., v.61, 2 p. 240-243 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784216020134
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Грехов,ИВ Полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль гексагональной оси 2016, ФТП, т.50, 7 с. 900-904 Ivanov,PA; Potapov,AS; Samsonova,TP; Grekhov,IV Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4H-SiC 2016, Semiconductors, v.50, 7 p. 883-887 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378261607006X
  • Ivanov,P; Kon`kov,O; Samsonova,T; Potapov,A; Grekhov,I Electrical performance of 4H-SiC based drift step recovery diodes SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2015 Mater. Sci. Forum, v.858, p. 761-764 2016 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-303-571-042-7
  • Александров,ЕБ; Алфёров,ЖИ; Асеев,АЛ; Варшалович,ДА; Грехов,ИВ; Гуляев,ЮВ; Забродский,АГ; Каплянский,АА; Крохин,ОН; Тимофеев,ВБ; Чаплик,АВ; Щербаков,ИА Роберт Арнольдович Сурис (к 80-летию со дня рождения) 2016, УФН, т.186, 12 с. 1381-1382 DOI: http://dx.doi.org/10.3367/UFNr.2016.11.037992
  • Грехов,ИВ; Жмодиков,АЛ; Коротков,СВ; Прижимнов,СГ; Фоменко,ЮЛ Исследование высоковольтных интегральных импульсных тиристоров в моноимпульсном и пакетно-импульсном режимах 2016, ПТЭ, т.3 с. 32-36 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S0032816216020208 Grekhov,IV; Zhmodikov,AL; Korotkov,SV; Prizhimnov,SG; Fomenko,YL Investigation of high-voltage integral pulse thyristors in single-pulse and pulse-train modes 2016, Instrum. Exp. Tech., v.59, 3 p. 351-355 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0020441216020202
  • Грехов,ИВ; Рожков,АВ Исследование работы биполярного транзистора в режиме наносекундного размыкателя тока 2016, ПТЭ, т.1 с.85-87 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S0032816216010237 Grekhov,IV; Rozhkov,AV Investigation of the operation of a bipolar transistor in the mode of a nanosecond opening switch 2016, Instrum. Exp. Tech., v.59, 1 p. 82-83 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S002044121601022X
  • Векслер,МИ; Карева,ГГ; Илларионов,ЮЮ; Грехов,ИВ Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл-окисел-p+-кремний 2016, Письма ЖТФ, т.42, 21 с. 62-69 Vexler,MI; Kareva,GG; Illarionov,YY; Grekhov,IV Resonant electron tunneling and related charging phenomena in metal-oxide-p(+)-Si nanostructures 2016, Tech. Phys. Lett., v.42, 11 p. 1090-1093 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785016110109
  • Ivanov,PA; Potapov,AS; Samsonova,TP; Grekhov,IV Electric-field dependence of electron drift velocity in 4H-SiC 2016, Solid-State Electron., v.123 p. 15-18 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.010
  • Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ Мощный диодный наносекундный размыкатель тока на основе p-кремния (p-SOS)V ВСЕРОССИЙСКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ” Электроника и микроэлектроника СВЧ, т.1, 1, с. 164-168 2016 357 стр., СПбГЭТУ “ЛЭТИ” ISBN: 978-5-7629-1773-5 V Всероссийская научно-техническая конференция “Электроника и микроэлектроника СВЧ”; 30 мая – 2 июня 2016 г.; Санкт-Петербург, Россия
  • Brylevskiy,VI; Smirnova,IA; Rozhkov,AV; Brunkov,PN; Rodin,PB; Grekhov,IV Picosecond-Range Avalanche Switching of High-Voltage Diodes: Si Versus GaAs Structures 2016, IEEE Trans. Plasma Sci., v.44, 10 с. 1941-1946 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TPS.2016.2561404
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Грехов,ИВ Экспериментальное определение полевой зависимости дрейфовой скорости электронов в 4H-SiC вдоль оси C V ВСЕРОССИЙСКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ” Электроника и микроэлектроника СВЧ, т.1, 1, с. 32-36 2016 357 стр., СПбГЭТУ “ЛЭТИ”ISBN: 978-5-7629-1773-5 V Всероссийская научно-техническая конференция “Электроника и микроэлектроника СВЧ”; 30 мая – 2 июня 2016 г.; Санкт-Петербург, Россия
  • Векслер,МИ; Грехов,ИВ Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-K-oxide/SiO2/Si 2016, ФТП, т.50, 5 с. 683-688 Vexler,MI; Grekhov,IV Features of carrier tunneling between the silicon valence band and metal in devices based on the Al/high-K oxide/SiO2/Si structure 2016, Semiconductors, v.50, 5 p. 671-677 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782616050249
  • Векслер,МИ; Карева,ГГ Анализ электрофизических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник V ВСЕРОССИЙСКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ” Электроника и микроэлектроника СВЧ, т.1, 1, с. 37-41 2016 357 стр., СПбГЭТУ “ЛЭТИ” ISBN: 978-5-7629-1773-5 V Всероссийская научно-техническая конференция “Электроника и микроэлектроника СВЧ”; 30 мая – 2 июня 2016 г.; Санкт-Петербург, Россия
  • Астрова,ЕВ; Румянцев,АМ; Ли,ГВ; Нащекин,АВ; Казанцев,ДЮ; Бер,БЯ; Жданов,ВВ Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией 2016, ФТП, т.50, 7 с. 979-986 Astrova,EV; Rumyantsev,AM; Li,GV; Nashchekin,AV; Kazantsev,DY; Ber,BY; Zhdanov,VV Electrochemical lithiation of silicon with varied crystallographic orientation 2016, Semiconductors, v.50, 7 p. 963-969 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782616070022
  • Li,GV; Rumyantsev,AM; Levitskii,VS; Beregulin,EV; Zhdanov,VV; Terukov,EI; Astrova,EV Application of silicon zig-zag wall arrays for anodes of Li-ion batteries 2016, Semicond. Sci. Technol., v.31, 1, SI Ar tNo: #014008 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/31/1/014008
  • Астрова,ЕВ; Ли,ГВ; Румянцев,АМ; Жданов,ВВ Электрохимические характеристики наноструктурированных кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов 2016, ФТП, т.50, 2 с. 279-286 Astrova,EV; Li,GV; Rumyantsev,AM; Zhdanov,VV Electrochemical characteristics of nanostructured silicon anodes for lithium-ion batteries 2016, Semiconductors, v.50, 2 p. 276-283 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782616020032
  • Ivanov,PA; Yuferev,VS; Levinshtein,ME; Zhang,JQ; Palmour,JW Collector conductivity modulation in 1200-V 4H-SiC BJTs (Modeling) in SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS (ECSCRM) Mater. Sci. Forum, v.897, p. 563-566 2017 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-3-0357-1043-4 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2016; Halkidiki; Greece; 25-29 September 2016
  • Иванов,ПА; Кудояров,МФ; Козловский,МА; Потапов,АС; Самсонова,ТП Полуизолирующие слои 4H-SiC, полученные имплантацией высокоэнергетичных (53 МэВ) ионов аргона в эпитаксиальные пленки n-типа проводимости 2016, ФТП, т.50, 7 с. 937-940 Ivanov,PA; Kudoyarov,MF; Kozlovski,MA; Potapov,AS; Samsonova,TP Semi-insulating 4H-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into n-type epitaxial films 2016, Semiconductors, v.50, 7 p. 920-923 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782616070071
  • Yuferev,VS; Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Zhang,JQ; Palmour,JW Transient collector modulation of 4H-SiC BJTs during switch-on process 2016, Solid-State Electron., v.123 p. 130-132 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.05.002
  • Левинштейн,МЕ; Иванов,ПА; Zhang,QJ; Palmour,JW Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiCJBS-диодов Шоттки 2016, ФТП, т.50, 5 с. 668-673 Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Zhang,QJ; Palmour,JW Isothermal current-voltage characteristics of high-voltage 4H-SiC junction barrier Schottky rectifiers 2016, Semiconductors, v.50, 5 p. 656-661 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782616050158
  • Мавлянов,РК; Виноградов,АЯ; Калинин,ДА; Толмачев,ВА Исследование тонкопленочной гетероструктуры, получаемой с помощью лазерного напыления слоев платины и цирконат-титаната свинца 2016, Оптич. ж., т.83, 7 с. 32-37 Mavlyanov,RK; Vinogradov,AYa; Kalinin,DA; Tolmachev,VA Study of thin-film heterostructures produced by laser deposition of a platinum and a lead zirconate titanate layer 2016, J. Opt. Technol., v.83, 7 p. 415-418 DOI: http://dx.doi.org/10.1364/JOT.83.000415
  • Краснова,АО; Глебова,НВ; Нечитайлов,АА Технология и структурные характеристики электродного материала системы Pt/C-Таунит МД-Nafion 2016, Ж. прикл. хим., т.89, 6 с. 756-761 Krasnova,AO; Glebova,NV; Nechitailov,AA Technology and structural characteristics of electrode material in the Pt/C-Taunite-MD-Nafion system 2016, Russ. J. Appl. Chem., v.89, 6 p. 916-920 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1070427216060112
  • Afanasyev,AV; Ivanov,BV; Ilyin,VA; Luchinin,VV; Serguschichev,KA; Smirnov,AA; Kardo-Sysoev,AF Temperature dependence of silicon carbide drift step recovery diodes injection electroluminescence in 3RD INTERNATIONAL SCHOOL  AND CONFERENCE ON OPTOELECTRONICS, PHOTONICS, ENGINEERING AND NANOSTRUCTURES (SAINT PETERSBURG OPEN 2016) J. Phys.: Conf. Ser., v.741, 1, p. #012175-2016 IOP PUBLISHINGISSN: 1742-6588 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (Saint Petersburg OPEN 2016), 28–30 March 2016, St Petersburg, Russia
  • Вьюгинов,ВН; Кириллов,АВ; Кардо-Сысоев,АФ; Клевцов,ВА Исследования по разработке антенного переключателя для наносекундных видеоимпульсов 2016, Нанотехнологии: разработка, применение – XXI век, т.8, 1 с. 30-33
  • Афанасьев,АВ; Иванов,БВ; Ильин,ВА; Кардо-Сысоев,АФ; Лучинин,ВВ; Смирнов,АА; Шевченко,СА Исследование процесса переключения низковольтного карбидокремниевого дрейфового диода с резким восстановлением В книге (сборнике): V ВСЕРОССИЙСКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ” Электроника и микроэлектроника СВЧ, т.2, 1, с. 251-255 2016 317 стр., СПбГЭТУ “ЛЭТИ” ISBN: 978-5-7629-1773-5 V Всероссийская научно-техническая конференция “Электроника и микроэлектроника СВЧ”; 30 мая – 2 июня 2016 г.; Санкт-Петербург, Россия
  • Jing,X; Panholzer,E; Song,X; Grustan-Gutierrez,E; Hui,F; Shi,Y; Benstetter,G; Illarionov,Yu; Grasser,T; Lanza,M Fabrication of scalable and ultra low power photodetectors with high light/dark current ratios using polycrystalline monolayer MoS2 sheets 2016, Nano Energy, v.30 p. 494-502 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.nanoen.2016.10.032
  • Illarionov,YYu; Waltl,M; Smith,AD; Vaziri,S; Ostling,M; Lemme,MC; Grasser,T Bias-temperature instability on the back gate of single-layer double-gated graphene field-effect transistors 2016, Jpn. J. Appl. Phys., v.55, 4, SI Art No: #04EP03 DOI: http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.55.04EP03
  • Illarionov,YY; Rzepa,G; Waltl,M; Knobloch,T; Grill,A; Furchi,MM; Mueller,T; Grasser,T The role of charge trapping in MoS2/SiO2 and MoS2/hBN field-effect transistors 2016, 2D Materials, v.3, 3 Art No: #035004 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/3/3/035004
  • Illarionov,YuYu; Waltl,M; Rzepa,G; Kim,JS; Kim,S; Dodabalapur,A; Akinwande,D; Grasser,T Long-Term Stability and Reliability of Black Phosphorus Field-Effect Transistors 2016, ACS Nano, v.10, 10 p. 9543-9549 DOI: http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.6b04814
  • Jech,M; Sharma,P; Tyaginov,S; Rudolf,F; Grasser,T On the limits of applicability of drift-diffusion based hot carrier degradation modeling 2016, Jpn. J. Appl. Phys., v.55, 4, SI Art No: #04ED14 DOI: http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.55.04ED14
  • Sharma,P; Tyaginov,SE; Rauch,SE; Franco,J; Kaczer,B; Makarov,A; Vexler,MI; Grasser,T A drift-diffusion-based analytic description of the energy distribution function for hot-carrier degradation in decananometer nMOSFETs 46TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE, ESSDERC 2016 European Solid-State Device Res. Conf., v.2016-October p. 428-431 2016 IEEE COMPUTER SOCIETY ISSN: 1930-8876 ISBN: 978-150-902-969-3 46th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2016; Lausanne; Switzerland; 12-15 September 2016