Publications-2017

Below, all publications of the laboratory dated 2017 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 39 entries.

  • Кюрегян,АС; Горбатюк,АВ; Иванов,БВ Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и комбинированных СИТ-МОП-транзисторах 2017, Электротехника, т.2 с. 52-56 Kyuregyan,AS; Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV A comparison of time-average power losses in insulated-gate bipolar transistors and hybrid SIT-MOS-transistors 2017, Russ. Electr. Eng., v.88, 2 p. 77-80 DOI: http://dx.doi.org/10.3103/S1068371217020043
  • Горбатюк,АВ; Иванов,БВ Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска 2017, ФТП, т.51, 6 . 835-843 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44565.8461 Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV Simulation of reversely switched dynistors in modes with a lowered primary-ignition threshold 2017, Semiconductors, v.51, 6 p. 803-811 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617060112
  • Подольская,НИ; Люблинский,АГ; Грехов,ИВ Численное моделирование наносекундного переключения p-SOS-диода 2017, ЖТФ, т.87, 12 с. 1790-1793 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2017.12.45199.2313 Podolska,NI; Lyublinskiy,AG; Grekhov,IV The Numerical Simulation of the Nanosecond Switching of a p-SOS Diode 2017, Tech. Phys., v.62, 12 p. 1787-1790 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784217120192
  • Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Скиданов,АА Исследование процесса выключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением 2017, ЖТФ, т.87, 1 с.155-158DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2017.01.44034.1930 Podolska,NI; Lyublinskiy,AG; Grekhov,IV  The Numerical Simulation of the Nanosecond Switching of a p-SOS Diode 2017, Tech. Phys., v.62, 12 p. 1787-1790 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784217120192
  • Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Михайлов,ЕМ; Полоскин,ДС; Скиданов,АА Исследование процесса выключения интегрального тиристора импульсом базового тока 2017, ЖТФ, т.87, 11 с. 1682-1686 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2017.11.45129.2257 Grekhov,IV; Lyublinsky,AG; Mikhailov,EM; Poloskin,DS; Skidanov,AA Analysis of integrated thyristor switching-off by a reverse gate pulse current 2017, Tech. Phys., v.62, 11 p. 1684-1688 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784217110111
  • Векслер,МИ; Илларионов,ЮЮ; Грехов,ИВ Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов  2017, ФТП, т.51, 4 с. 467-471 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44337.8445 Vexler,MI; Illarionov,YY; Grekhov,IV Quantum-well charge and voltage distribution in a metal-insulator-semiconductor structure upon resonant electron Tunneling 2017, Semiconductors, v.51, 4 p. 444-448 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617040224
  • Аристов,ЮВ; Воронков,ВБ; Грехов,ИВ; Коротков,ДА; Коротков,СВ; Матлашов,ПЕ Защита от деградации краевого контура в динисторах с быстрой ионизацией 2017, ПТЭ, т.2 с. 57-60DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S003281621701030X Aristov,YV; Voronkov,VB; Grekhov,IV; Korotkov,DA; Korotkov,SV; Matlashov,PE Protection against degradation of the edge contour in fast-ionization dynistors 2017, Instrum. Exp. Tech., v.60, 2 с. 210-212 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0020441217010304
  • Brylevskiy,V; Smirnova,I; Podolska,N; Zharova,Yu; Rodin,P; Grekhov,I High-voltage picosecond-range avalanche switching of semiconductor structures without pn-junctions 2017 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON PULSED POWER (PPC) , p. 1-4 2017 IEEE ISBN: 978-1-5090-5748-1 21st IEEE International Conference on Pulsed Power (PPC); Brighton, UK; 18-22 June 2017
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Грехов,ИВ Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p(+)-n0-n(+)-диодов в режиме лавинного пробоя 2017, ФТП, т.51, 3 с. 390-394 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44214.8385 Ivanov,PA; Potapov,AS; Samsonova,TP; Grekhov,IV Current-voltage characteristics of high-voltage 4H-SiC (p+)-(n0)-(n+) diodes in the avalanche breakdown mode 2017, Semiconductors, v.51, 3 с. 374-378 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617030095
  • Brylevskiy,V; Smirnova,I; Gutkin,A; Brunkov,P; Rodin,P; Grekhov,I Delayed avalanche breakdown of high-voltage silicon diodes: Various structures exhibit different picosecond-range switching behavior 2017, J. Appl. Phys., v.122, 18 Art No: #185701 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.5004524
  • Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Юсупова,ША Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием 2017, ЖТФ, т.87, 5 с. 793-796 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2017.05.44459.1993 Grekhov,IV; Lyublinskiy,AG; Yusupova,SA High-power subnanosecond silicon avalanche shaper 2017, Tech. Phys., v.62, 5 p. 812-815 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784217050115
  • Vexler,MI Enhancement of minority carrier supply in a resonant-tunneling metal-insulator-silicon capacitor 2017, J. Appl. Phys., v.121, 15 Art No: #155702 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4981879
  • Векслер,МИ; Тягинов,СЭ Оптимизация одноуровневой квантовой модели приповерхностных индуцированных слоев в СВЧ-приборах на основе системы металл-диэлектрик-полупроводник VI ВСЕРОССИЙСКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ” Электроника и микроэлектроника СВЧ, т.1, 1 (1), с. 404-408 2017 СПбГЭТУ “ЛЭТИ” VI Всероссийская научно-техническая конференция “Электроника и микроэлектроника СВЧ”, 29 мая – 1 июня 2017 г., Санкт-Петербург, Россия
  • Makarov,A; Tyaginov,SE; Kaczer,B; Jech,M; Chasin,A; Grill,A; Hellings,G; Vexler,MI; Linten,D; Grasser,T Hot-Carrier Degradation in FinFETs: Modeling, Peculiarities, and Impact of Device Topology 2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) IEEE International Electron Devices Meeting, v.Part F134366, #17524780-2017 IEEE ISSN: 2380-9248 ISBN: 978-1-5386-3559-9
  • Sharma,P; Tyaginov,S; Rauch,SE; Franco,J; Makarov,A; Vexler,MI; Kaczer,B; Grasser,T Hot-carrier degradation modeling of decananometer nMOSFETs using the drift-diffusion approach 2017, IEEE Electron Device Lett., v.38, 2 p. 160-163 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2016.2645901
  • Delimova,L; Guschina,E; Zaitseva,N; Pavlov,S; Seregin,D; Vorotilov,K; Sigov,A Effect of seed layer with low lead content on electrical properties of PZT thin films 2017, J. Mater. Res., v.32, 9 p. 1618-1627 DOI: http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2017.156
  • Delimova,LA; Guschina,EV; Seregin,DS; Vorotilov,KA; Sigov,AS Unexpected behavior of transient current in thin PZT films caused by grain-boundary conduction 2017, J. Appl. Phys., v.121, 22 Art No: #224104 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4985177
  • Преображенский,НЕ; Астрова,ЕВ; Павлов,СИ; Воронков,ВБ; Румянцев,АМ; Жданов,ВВ Аноды для литий-ионных аккумуляторов на основе p-Si с самоорганизующимися макропорами 2017, ФТП, т.51, 1 с. 79-88 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.01.8314 Preobrazhenskiy,NE; Astrova,EV; Pavlov,SI; Voronkov,VB; Rumyantsev,AM; Zhdanov,VV Anodes for Li-ion batteries based on p-Si with self-organized macropores 2017, Semiconductors, v.51, 1 p. 78-87 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617010195
  • Astrova,EV; Preobrazhenskiy,NE; Pavlov,SI; Voronkov,VB Morphology of macroporous silicon subjected to sintering in argon Phys. Status Solidi A-Appl. Mat., v.214, 7,  #1700211-2017 WILEY-VCH VERLAG GMBH ISSN: 1862-6300 17th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST); Georgia; October 01-06, 2017
  • Астрова,ЕВ; Преображенский,НЕ; Павлов,СИ; Воронков,ВБ Высокотемпературный отжиг макропористого кремния в потоке инертного газа 2017, ФТП, т.51, 9 с. 1202-1212 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44884.8543 Astrova,EV; Preobrazhenskiy,NE; Pavlov,SI; Voronkov,VBHigh-temperature annealing of macroporous silicon in an inert-gas flow 2017, Semiconductors, v.51, 9 p. 1153-1163 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617090032
  • Астрова,ЕВ; Преображенский,НЕ; Павлов,СИ; Воронков,ВБ Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона 2017, ФТП, т.51, 9 с. 1213-1222 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44885.8544 Astrova,EV; Preobrazhenskiy,NE; Pavlov,SI; Voronkov,VB Characteristic properties of macroporous silicon sintering in an argon atmosphere 2017, Semiconductors, v.51, 9 p. 1164-1173 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617090044
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Рыбалка,СБ; Малаханов,АА МОП-транзисторы со встроенным n-каналом на основе 4H-SiC: пространственная локализация свободных электронов под затвором 2017, Журнал радиоэлектроники, т.6 Art No: #6
  • Юферев,ВС; Левинштейн,МЕ; Иванов,ПА; Zhang,JQ; Palmour,JW Переходной процесс выключения 4H-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения 2017, ФТП, т.51, 9 с. 1243-1248 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44889.8540 Yuferev,VS; Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Zhang,JQ; Palmour,JW Transient switch-off of a 4H-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode 2017, Semiconductors, v.51, 9 p. 1194-1199 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617090238
  • Толмачев,ВА Оптические свойства одномерных фотонных кристаллов, получаемых с помощью микроструктурирования на кремнии (обзор) 2017, Оптика спектроск., т.122, 4 с. 665-679 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S0030403417030217 Tolmachev,VA Optical properties of one-dimensional photonic crystals obtained by micromatchining silicon (a review) 2017, Opt. Spectrosc., v.122, 4 p. 646-660 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0030400X17030201
  • Tolmachev,V; Zharova,Y Study of the optical properties of silver nanoparticle layers and Si-based nanostructure layers 2017, Phys. Status Solidi B-Basic Res., v.254, 6 Art No: #1600758 DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201600758
  • Толмачев,ВА; Мавлянов,РК; Калинин,ДА; Жарова,ЮА; Зайцева,НВ; Павлов,СИ Структурное и эллипсометрическое исследование тонких слоев оксида галлия, осажденных на Si с помощью лазерной абляции 2017, Оптика спектроск., т.123, 6 с. 917-923 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/80030403417120169 Tolmachev,VA; Mavlyanov,RK; Kalinin,DA; Zharova,YA; Zaitseva,NV; Pavlov,SI A Structural and Ellipsometric Investigation of Thin Gallium Oxide Layers Deposited on Si by Means of Laser Deposition 2017, Opt. Spectrosc., v.123, 6 p. 928-934 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0030400X17120153
  • Глебова,НВ; Краснова,АО; Томасов,АА; Зеленина,НК; Нечитайлов,АА 2017, ЖТФ, т.87, 12 с. 1865-1870 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2017.12.45211.2183 Glebova,NV; Krasnova,AO; Tomasov,AA; Zelenina,NK; Nechitailov,AA Method of Measuring the Diffusion Resistance of the Structures of Porous Electrode Materials Based on a Proton-Conducting Ionomer and Carbon Nanomaterials 2017, Tech. Phys., v.62, 12 p. 1863-1868 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378421712009X
  • Глебова,НВ; Краснова,АО; Томасов,АА; Зеленина,НК; Гущина,ЕВ; Дунаевский,МС; Нечитайлов,АА Структура платиноуглеродных электродов, содержащих различные формы протонпроводящего полимера Nafion 2017, ЖТФ, т.87, 11 с. 1696-1700 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2017.11.45132.2201 Glebova,NV; Krasnova,AO; Tomasov,AA; Zelenina,NK; Gushchina,EV; Dunaevskii,MS; Nechitailov,AA Structure of platinum-carbon electrodes containing various forms of nafion proton-conducting polymer 2017, Tech. Phys., v.62, 11 p. 1698-1702 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378421711010X
  • Гуревич,СА; Ильющенков,ДС; Явсин,ДА; Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Зеленина,НК; Томасов,АА Зарядовое состояние и активность катализаторов Pt/С в реакции восстановления кислорода 2017, Электрохимия, т.53, 6 с. 642-650 Gurevich,SA; Il`yushchenkov,DS; Yavsin,DA; Glebova,NV; Nechitailov,AA; Zelenina,NK; Tomasov,AACharge state and activity of Pt/C catalysts in oxygen reduction reaction 2017, Russ. J. Electrochem., v.53, 6 p. 567-574 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1023193517060052
  • Краснова,АО; Глебова,НВ; Жилина,ДВ; Нечитайлов,АА Структурообразование в технологии формирования электродного материала на основе протонпроводящего полимера Nafion и терморасширенного графита, содержащего наночастицы платины на углеродной саже 2017, Ж. прикл. хим., т.90, 3 с. 299-306 Krasnova,AO; Glebova,NV; Zhilina,DV; Nechitailov,AA Structuring in the formation technology of electrode material based on nafion proton-conducting polymer and thermally expanded graphite containing platinum nanoparticles on carbon black 2017, Russ. J. Appl. Chem., v.90, 3 p. 361-368 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1070427217030065
  • Глебова,НВ; Краснова,АО; Томасов,АА; Зеленина,НК; Нечитайлов,АА Ионный транспорт в пористых электродах со смешанной проводимостью 2017, ЖТФ, т.87, 6 с. 880-883 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2017.06.44510.1861 Glebova,NV; Krasnova,AO; Tomasov,AA; Zelenina,NK; Nechitailov,AAIon transport in porous electrodes with mixed conductivity 2017, Tech. Phys., v.62, 6 p. 895-898 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378421706010X
  • Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Краснова,АО; Томасов,АА; Зеленина,НК Особенности структурообразования и электрохимические характеристики платиноуглеродного катода водородного топливного элемента в присутствии гидрофобизатора и углеродных нанотрубок 2017, Электрохимия, т.53, 2 с. 227-232 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S0424857016080053 Glebova,NV; Nechitailov,AA; Krasnova,AO; Tomasov,AA; Zelenina,NK Structure formation and electrochemical characteristics of the platinum-carbon cathode of the hydrogen fuel cell in the presence of a water repellent and carbon nanotubes 2017, Russ. J. Electrochem., v.53, 2 с. 205-209 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S102319351608005X
  • Ilyin,VA; Afanasyev,AV; Demin,YS; Ivanov,BV; Kardo-Sysoev,AF; Luchinin,VV; Reshanov,SA; Schöner,A; Sergushichev,KA; Smirnov,AA 30 kV pulse diode stack based on 4H-SiC in INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ICSCRM 2017 Mater. Sci. Forum, v.924 MSF, p. 841-844 2018 TRANS TECH PUBLICATIONS LTD ISSN: 0255-5476 ISBN: 978-3-0357-1145-5 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2017; Columbia, USA; 17-22 September 2017
  • Савенков,ГГ; Кардо-Сысоев,АФ; Зегря,АГ; Оськин,ИА; Брагин,ВА; Зегря,ГГ Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов 2017, Письма ЖТФ, т.43, 19 с. 57-63 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2017.19.45082.16919 Savenkov,GG; Kardo-Sysoev,AF; Zegrya,AG; Os`kin,IA; Bragin,VA; Zegrya,GG Initiation of Explosive Conversions in Energy-Saturated Nanoporous Silicon-Based Compounds with Fast Semiconductor Switches and Energy-Releasing Elements 2017, Tech. Phys. Lett., v.43, 10 p. 896-898 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378501710011X
  • Afanasyev,AV; Ivanov,BV; Ilyin,VA; Smirnov,AA; Kardo-Sysoev,AF; Shevchenko,SA A study of 4H-SiC diode avalanche shaper in SAINT PETERSBURG OPEN 2017 J. Phys.: Conf. Ser., v.917, 8, p. #082002-2017 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588 4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint Petersburg OPEN 2017” St. Petersburg, Russian Federation; 3–6 April 2017
  • Illarionov,YY; Knobloch,T; Waltl,M; Rzepa,G; Pospischil,A; Polyushkin,DK; Furchi,MM; Mueller,T; Grasser,T Energetic mapping of oxide traps in MoS2 field-effect transistors 2017, 2D Materials, v.4, 2 Art No: #025108 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/aa734a
  • Illarionov,YY; Waltl,M; Rzepa,G; Knobloch,T; Kim,JS; Akinwande,D; Grasser,T Highly-stable black phosphorus field-effect transistors with low density of oxide traps 2017, npj 2D Mater. Appl., v.1 Art No: #23 DOI: http://dx.doi.org/10.1038/s41699-017-0025-3
  • Knobloch,T; Rzepa,G; Illarionov,YY; Waltl,M; Polyushkin,DK; Pospischil,A; Furchi,MM; Mueller,T; Grasser,T Impact of Gate Dielectrics on the Threshold Voltage in MoS2 Transistors SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15 – IN MEMORY OF SAMARES KA HELD DURING THE 232ND MEETING OF THE ELECTROCHEMICAL-SOCIETY (ECS) ECST, v.80, 1 p. 203-217 2017 ELECTROCHEMICAL SOC INC ISSN: 1938-5862 ISBN: 978-1-62332-470-4 Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 15 – In Memory of Samares Ka held during the 232nd Meeting of the Electrochemical-Society (ECS); National Harbor, MD, USA; 01-05 October 2017
  • Kaczer,B; Franco,J; Tyaginov,S; Jech,M; Rzepa,G; Grasser,T; O`Sullivan,BJ; Ritzenhaler,R; Schram,T; Spessot,A; Linten,D; Horiguchi,N  Mapping of CMOS FET degradation in bias space – Application to dram peripheral devices 2017, J. Vac. Sci. Technol. B, v.35, 1 Art No: #01A109 DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.4972872