Publications-2018

Below, all publications of the laboratory dated 2018 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 40 entries.

  • Горбатюк,АВ; Иванов,БВ [counted 2018] Перераспределение токов и тепловых потерь в реверсивно-включаемом динисторе при наличии поперечного перепада температуры 2019, Письма ЖТФ, т.45, 1 с. 57-60 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2019.01.47160.17547 Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV  Redistribution of Current and Loss of Heat in a Reversely Switched Dynistor in the Presence of a Transverse Temperature Gradient 2018, Tech. Phys. Lett., v.44, 12 p. 1241-1244 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785019010085
  • Брылевский,ВИ; Смирнова,ИА; Подольская,НИ; Жарова,ЮА; Родин,ПБ; Грехов,ИВ Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без p-n-переходов, Письма ЖТФ, т.44, 4 с. 66-73 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2018.04.45640.17086 Brylevskiy,VI; Smirnova,IA; Podolska,NI; Zharova,YA; Rodin,PB; Grekhov,IV Experimental Observation of Delayed Impact-Ionization Avalanche Breakdown in Semiconductor Structures without p-n Junctions 2018, Tech. Phys. Lett., v.44, 2 p. 160-163 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785018020177
  • Иванов,ПА; Грехов,ИВ Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой n- и p-типа) 2018, ЖТФ, т.88, 1 с. 89-92 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2018.01.45488.2327 Ivanov,PA; Grekhov,IV Generation of High-Voltage Pulses by Sharp-Recovery SiC Drift Diodes (n-Base versus p-Base Diodes) 2018, Tech. Phys., v.63, 1 p. 86-89 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784218010152
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Грехов,ИВ Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного p+-i-n+-диода 2018, ЖТФ, т.88, 6 с. 955-958 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2018.06.46031.2517 Ivanov,PA; Potapov,AS; Grekhov,IV Influence of Dopant Incomplete Ionization on the Capacitance of a Reverse-Biased 4H-SiC p+-i-n+ Diode 2018, Tech. Phys., v.63, 6 p. 928-931 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784218060130
  • Илларионов,ЮЮ; Банщиков,АГ; Соколов,НС; Wachter,S; Векслер,МИ Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO2/CaF2/Si) 2018, Письма ЖТФ, т.44, 24 с. 150-157 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2018.24.47043.17535 Illarionov,YY; Banshchikov,AG; Sokolov,NS; Wachter,S; Vexler,MI Nonmonotonic Change in the Tunnel Conductivity of an MIS Structure with a Two-Layer Insulator with an Increase in Its Thickness (by the Example of the Metal/SiO2 /CaF2 /Si System) 2018, Tech. Phys. Lett., v.44, 12 p. 1188-1191 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785018120441
  • Макаров,АА; Тягинов,СЭ; Kaczer,B; Jech,M; Chasin,A; Grill,A; Hellings,G; Векслер,МИ; Linten,D; Grasser,T Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника 2018, ФТП, т.52, 10 с. 1177-1182 Makarov,AA; Tyaginov,SE; Kaczer,B; Jech,M; Chasin,A; Grill,A; Hellings,G; Vexler,MI; Linten,D; Grasser,T Analysis of the Features of Hot-Carrier Degradation in FinFETs 2018, Semiconductors, v.52, 10 p. 1298-1302 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618100081
  • Makarov,AA; Tyaginov,SE; Kaczer,B; Jech,M; Chasin,A; Grill,A; Hellings,G; Vexler,MI; Linten,D; Grasser,T О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями 2018, ФТП, т.52, 13 с. 1631-1635 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46878.8858 Tyaginov,SE; Makarov,AA; Kaczer,B; Jech,M; Chasin,A; Grill,A; Hellings,G; Vexler,MI; Linten,D; Grasser,T Impact of the Device Geometric Parameters on Hot-Carrier Degradation in FinFETs 2018, Semiconductors, v.52, 13 p. 1738-1742 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618130183
  • Векслер,МИ Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник-кристаллический диэлектрик-Si(111) 2018, ФТП, т.52, 8 с. 900-905 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46216.8753 Vexler,MI Simulating Tunneling Electron Transport in the Semiconductor-Crystalline Insulator-Si(111) System 2018, Semiconductors, v.52, 8 p. 1031-1036 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618080249
  • Тягинов,СЭ; Макаров,АА; Jech,M; Векслер,МИ; Franco,J; Kaczer,B; Grasser,T Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл-диэлектрик-кремний 2018, ФТП, т.52, 2 с. 254-259 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45452.8652 Tyaginov,SE; Makarov,AA; Jech,M; Vexler,MI; Franco,J; Kaczer,B; Grasser,T Physical Principles of Self-Consistent  Simulation of the Generation of Interface States and the Transport of Hot Charge Carriers in Field-Effect Transistors Based on Metal-Oxide-Semiconductor Structures 2018, Semiconductors, v.52, 2 p. 242-247 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618020203
  • Серегин,ДС; Базирувиха,АМ; Котова,НМ; Воротилов,КА; Делимова,ЛА; Зайцева,НВ; Мяконьких,АВ; Руденко,КВ; Лукичев,ВФ Формирование структур PZT на кремнии 2018, Изв. РАН, сер. физ., т.82, 3 с. 390-394 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S0367676518030298 Seregin,DS; Baziruvikha,AM; Kotova,NM; Vorotilov,KA; Delimova,LA; Zaitzeva,NV; Myakon`kikh,AV; Rudenko,KV; Lukichev,VF Formation of PZT Structures on Silicon2018, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., v.82, 3 p. 341-345 DOI: http://dx.doi.org/10.3103/S1062873818030231
  • Delimova,LA; Yuferev,VS Transient carrier transport and rearrangement of Schottky barrier layers under the action of a bias applied to the M/PZT/M structure 2018, J. Appl. Phys., v.124, 18 ArtNo: #184102 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.5052613
  • Делимова,ЛА; Гущина,ЕВ; Зайцева,НВ; Серегин,ДС; Воротилов,КА; Сигов,АС Влияние кристаллической структуры на электрические свойства тонкопленочных PZT структур 2018, ФТТ, т.60, 3 с. 547-552 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2018.03.45560.269
  • Astrova,EV; Preobrazhenskiy,NE; Lihachev,AI; Li,GV Comparison of n-Si photoanodization in organic and aqueous electrolytes 2018, J. Micromech. Microeng., v.28, 11 ArtNo: #115014 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1361-6439/aae26f Астрова,ЕВ; Преображенский,НЕ; Ли,ГВ; Павлов,СИ Образование макропор в n-Si при анодировании в органическом электролите 2018, ФТП, т.52, 3 с. 414-430 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45631.8695 Astrova,EV; Preobrazhenskiy,NE; Li,GV; Pavlov,SI Formation of Macropores in n-Si upon Anodization in an Organic Electrolyte 2018, Semiconductors, v.52, 3 p. 394-410 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618030053
  • Ли,ГВ; Астрова,ЕВ; Лихачев,АИ Влияние перекиси водорода на фотоанодирование n-Si в режиме пробоя 2018, ФТП, т.52, 13 с. 1614-1624 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46876.8898 Li,GV; Astrova,EV; Lihachev,AI Influence of Hydrogen Peroxide on the Photoanodization of n-Si in the Breakdown Mode2018, Semiconductors, v.52, 13 p. 1721-1731 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618130122
  • Astrova,EV Oxidation of macroporous silicon in Handbook of Porous Silicon. Second Edition, p. 875-884 2018 SPRINGER INTERNATIONAL PUBLISHING ISBN: 978-3-319-71379-3
  • Astrova,EV Processing of macroporous silicon in Handbook of Porous Silicon. Second Edition, p. 1071-1085 2018 SPRINGER INTERNATIONAL PUBLISHING ISBN: 978-3-319-71379-3
  • Иванов,ПА; Самсонова,ТП; Потапов,АС Устойчивость высоковольтных (1430 В) 4H-SiC (p+)-(n0)-(n+)-диодов к лавинному пробою 2018, ФТП, т.52, 12 с. 1527-1531 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46769.8903 Ivanov,PA; Samsonova,TP; Potapov,AS Avalanche Breakdown Stability of High Voltage (1430 V) 4H-SiC (p+)-(n0)-(n+) Diodes 2018, Semiconductors, v.52, 12 p. 1630-1634 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618120126
  • Иванов,ПА О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC 2018, ФТП, т.52, 1 с. 105-109 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45327.8436 Ivanov,PA On the Spatial Localization of Free Electrons in 4H-SiC MOSFETS with an n Channel 2018, Semiconductors, v.52, 1 p. 100-104 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618010104
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Кудояров,МФ; Самсонова,ТП Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4H-SiC 2018, ФТП, т.52, 10 с. 1187-1190 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46459.8863 Ivanov,PA; Potapov,AS; Kudoyarov,MF; Samsonova,TP Effect of Low-Dose Proton Irradiation on the Electrical Characteristics of 4H-SiC Junction Diodes 2018, Semiconductors, v.52, 10 p. 1307-1310 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618100056
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Кудояров,МФ; Козловский,МА; Самсонова,ТП Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения n-SiC высокоэнергетическими ионами аргона 2018, Письма ЖТФ, т.44, 6 с. 11-16 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45762.16987 Ivanov,PA; Potapov,AS; Kudoyarov,MF; Kozlovskii,MA; Samsonova,TP The Influence of Heat Treatment on the Electrical Characteristics of Semi-Insulating SiC Layers Obtained by Irradiating n-SiC with High-Energy Argon Ions 2018, Tech. Phys. Lett., v.44, 3 p. 229-231 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785018030197
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Кудояров,МФ; Самсонова,ТП; Козловский,МА Влияние протонного облучения на статические и динамические характеристики p+-n–n+-диодов на основе 4H-SiCВ книге (сборнике): VII ВСЕРОССИЙСКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ “ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ” Электроника и микроэлектроника СВЧ, т.1 (1), с. 331-3352018728 стр., СПбГЭТУ “ЛЭТИ” ISSN: VII Всероссийская научно-техническая конференция “Электроника и микроэлектроника СВЧ”; Санкт-Петербург, Россия; 28-31 мая 2018
  • Иванов,ПА; Коньков,ОИ; Самсонова,ТП; Потапов,АС Высоковольтные (1600 V) размыкатели тока с субнаносекундным (150 ps) быстродействием на основе 4H-SiC 2018, Письма ЖТФ, т.44, 3 с. 3-8 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2018.03.45572.17025 Ivanov,PA; Kon`kov,OI; Samsonova,TP; Potapov,AS4H-SiC Based Subnanosecond (150 ps) High-Voltage (1600 V) Current Breakers 2018, Tech. Phys. Lett., v.44, 2 p. 87-89 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785018020086
  • Gushchina,EV; Osipov,VV; Borodin,BR; Pavlov,S; Tolmachev,VA; Dunaevskiy,MS; Pronin,IP Piezoelectric, conductive, and dielectric properties of magnetron sputtered PbZr54Ti46O3 films studied by scanning probe microscopy and spectroscopic ellipsometry methods in INTERNATIONAL CONFERENCE “SCANNING PROBE MICROSCOPY” (SPM-2018) AND INTERNATIONAL WORKSHOP “MODERN NANOTECHNOLOGIES” (IWMN-2018) Ferroelectrics, v.541, 1, SI, p. 47-53 2019 TAYLOR & FRANCIS LTDISSN: 0015-0193 International Conference “Scanning Probe Microscopy” (SPM-2018) and International Workshop “Modern Nanotechnologies” (IWMN-2018); Ekaterinburg, Russia; 26-29 August 2018
  • Zharova,YuA; Tolmachev,VA; Pavlov,SI; Gushchina,EV Formation and properties of arrays of Ag nanostructures and si whisker single crystals in PROCEEDINGS – INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2018, ICLO 2018 , p. 410-410 2018 IEEE ISBN: 978-1-5386-3612-1 2018 International Conference Laser Optics, ICLO 2018; St.Petersburg, Russian Federation; 4-8 June 2018
  • Tolmachev,VA; Zharova,YuA Optical properties of Ag layers and Ag nanoparticles on Si in PROCEEDINGS – INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2018, ICLO 2018 , p. 394-394 2018 IEEE ISBN: 978-1-5386-3612-1 2018 International Conference Laser Optics, ICLO 2018; St.Petersburg, Russian Federation; 4-8 June 2018
  • Kamalieva,AN; Toropov,NA; Vartanyan,TA; Baranov,MA; Parfenov,PS; Bogdanov,KV; Zharova,YA; Tolmachev,VA Fabrication of Silicon Nanostructures for Application in Photonics in XXV INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY” Semiconductors, v.52, 5, p. 632-635
  • Жарова,ЮА; Толмачев,ВА; Бедная,АИ; Павлов,СИ Поверхностные наноструктуры, формирующиеся на ранних стадиях металлстимулированного химического травления кремния. Оптические свойства наночастиц серебра 2018, ФТП, т.52, 3 с. 333-336 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45617.8684 Zharova,YA; Tolmachev,VA; Bednaya,AI; Pavlov,SI Surface Nanostructures Forming during the Early Stages of the Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon. Optical Properties of Silver Nanoparticles 2018, Semiconductors, v.52, 3 p. 316-319 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782618030235
  • Faneca,J; Perova,TS; Tolmachev,V; Baldycheva,A One-Dimensional Multi-Channel Photonic Crystal Resonators Based on Silicon-On-Insulator With High Quality Factor 2018, Front. Physics, v.6 ArtNo: #33 DOI: http://dx.doi.org/10.3389/fphy.2018.00033
  • Tolmachev,V; Baldycheva,A; Perova,TS Double-cavity Fabry-Perot resonators based on one-dimensional silicon photonic crystals in 3RD JOINT INTERNATIONAL CONFERENCE ON ENERGY ENGINEERING AND SMART MATERIALS, ICEESM 2018 AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY AND NANOMATERIALS IN ENERGY, ICNNE 2018 AIP Conf. Proc., v.2004, p. #020001-2018 AMER INST PHYSICS ISSN: 0094-243X ISBN: 978-0-7354-1720-53rd joint International Conference on Energy Engineering and Smart Materials, ICEESM 2018 and International Conference on Nanotechnology and Nanomaterials in Energy, ICNNE 2018; Milan, Italy; 22-24 June 2018
  • Ермина,АА; Жарова,ЮА; Толмачев,ВА; Павлов,СИ Влияние формирования островковой пленки серебра на ее оптические свойства и морфологию наноструктур, полученных с помощью металл-стимулированного химического травления В книге (сборнике): НЕДЕЛЯ НАУКИ СПбПУ: МАТЕРИАЛЫ НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ, с. 266-267 2018 426 стр., СПб:ПОЛИТЕХ-ПРЕСС ISBN: 978-5-7422-6410-1 Неделя науки СПбПУ; Санкт-Петербург, Российская Федерация; 19-14 ноября 2018
  • Васильева,МВ; Лихачев,АИ; Толмачев,ВА; Нащекин,АВ Определение толщин оптически неоднородных слоев с наночастицами серебра методом отражательной эллипсометрии В книге (сборнике): НЕДЕЛЯ НАУКИ СПбПУ: МАТЕРИАЛЫ НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ, с. 273-276 2018 426 стр., СПб:ПОЛИТЕХ-ПРЕСС ISBN: 978-5-7422-6410-1 Неделя науки СПбПУ; Санкт-Петербург, Российская Федерация; 19-14 ноября 2018
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Томасов,АА; Краснова,АО; Зеленина,НК Ионное сопротивление наноструктурированного электрохимического электрода в неравновесных условиях 2018, Письма ЖТФ, т.44, 23 с. 120-128 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47019.17324 Nechitailov,AA; Glebova,NV; Tomasov,AA; Krasnova,AO; Zelenina,NK The Ionic Resistance of a Nanostructured Membrane Electrode Assembly under Nonequilibrium Conditions 2018, Tech. Phys. Lett., v.44, 12 p. 1104-1107 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785018120325
  • Краснова,АО; Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Томасов,АА; Зеленина,НК Транспорт зарядов в электроде водородного топливного элемента, содержащем углеродные нановолокна 2018, Альтернативная энергетика и экология, т.19-21 (267-269) с. 40-51 DOI: http://dx.doi.org/10.15518/isjaee.2018.19-21.040-051
  • Orlova,TS; Shpeizman,VV; Glebova,NV; Nechitailov,AA; Spitsyn,AA; Ponomarev,DA; Gutierrez-Pardo,A; Ramirez-Rico,J Environmentally friendly monolithic highly-porous biocarbons as binder-free supercapacitor electrodes 2018, Rev. Adv. Mater. Sci., v.55, 1-2 p. 50-60 DOI: http://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_15518/06_15518_orlova.html
  • Глебова,НВ; Краснова,АО; Нечитайлов,АА Терморасширенный графит как функциональный материал в технологии электродного материала со смешанной проводимостью 2018, Ж. прикл. хим., т.91, 8 с. 1111-1121 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0044461818080030 Glebova,NV; Krasnova,AO; Nechitailov,AA Thermally Expanded Graphite as Functional Material in the Technology of Electrode Material with Mixed Conductivity 2018, Russ. J. Appl. Chem., v.91, 8 p. 1262-1271 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1070427218080037
  • Коротков,СВ; Аристов,ЮВ; Воронков,ВБ; Коротков,ДА Исследование кремниевых диодов в режиме переключения волной ударной ионизации 2018, ПТЭ, т.4 с. 36-40 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0032816218030230 Korotkov,SV; Aristov,YV; Voronkov,VB; Korotkov,DA Investigation of Silicon Diodes in the Mode of Switching by an Impact-Ionization Wave 2018, Instrum. Exp. Tech., v.61, 4 p. 496-500 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0020441218030211
  • Коротков,СВ; Аристов,ЮВ; Воронков,ВБ; Козлов,АК; Коротков,ДА Малогабаритный динисторный генератор мощных наносекундных импульсов 2018, ПТЭ, т.1 с. 39-41 DOI: http://dx.doi.org/10.7868/S0032816217060052
  • Stampfer,B; Zhang,F; Illarionov,YY; Knobloch,T; Wu,P; Waltl,M; Grill,A; Appenzeller,J; Grasser,T Characterization of Single Defects in Ultrascaled MoS2 Field-Effect Transistors 2018, ACS Nano, v.12, 6 p. 5368-5375 DOI: http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.8b00268