Publications-2019

Below, all publications of the laboratory dated 2019 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 41 entries.

  • Подольская,НИ; Родин,ПБ Численное моделирование субнаносекундного лавинного переключения кремниевых (n+)-n-(n+)-структур 2019, ФТП, т.53, 3 с. 401-406 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47294.8984 Podolska,NI; Rodin,PB Subnanosecond Avalanche Switching Simulations of (n+)-n-(n+) Silicon Structures 2019, Semiconductors, v.53, 3 p. 379-384 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619030151
  • Горбатюк,АВ; Иванов,БВ Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом 2019, ФТП, т.53, 4 с. 533-539 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47454.9009 Gorbatyuk,AV; Ivanov,BV Inhomogeneous Injection and Heat-Transfer Processes in Reversely Switched Dynistors Operating in the Pulse-Frequency Repetition Modes with a Limited Heat Sink 2019, Semiconductors, v.53, 4 p. 524-529 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619040110
  • Gushchina,EV; Zaitseva,NV; Delimova,LA; Seregin,DS; Vorotilov,KA Conductive AFM study of the local current in thin ferroelectric sol-gel PZT films В книге (сборнике): International Conference PhysicA.SPb/2019 J. Phys.: Conf. Ser., v.1400, 7, страницы: #077002-2019 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588 International Conference PhysicA.SPb/2019; St.Petersburg, Russian Federation; 22–24 October 2019
  • Delimova,LA; Yuferev,VS Transient carrier transport and rearrangement of space charge layers under the bias applied to ferroelectric M/PZT/M structures В книге (сборнике): International Conference PhysicA.SPb/2019 J. Phys.: Conf. Ser., v.1400, 5, с. #055003- 2019 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
    International Conference PhysicA.SPb/2019; St.Petersburg, Russian Federation; 22–24 October 2019
  • Zharova,YuA; Tolmachev,VA; Pavlov,SI; Ermina,AA Silicon nanowires and their characterization in the process of metal-assisted chemical etching of c-Si using spectroscopic ellipsometry В книге (сборнике): International Conference PhysicA.SPb/2019 J. Phys.: Conf. Ser., v.1400, 5, страницы: #055013- 2019 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588 International Conference PhysicA.SPb/2019; St.Petersburg, Russian Federation; 22–24 October 2019, DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1400/5/055013
  • Lihachev,AI; Brunkov,PN; Nashchekin,AV; Tolmachev,VA; Vasileva,MV Characterization of optically inhomogeneous polymer layers with silver nanoparticles by spectroscopic ellipsometry В книге (сборнике): International Conference PhysicA.SPb/2019 J. Phys.: Conf. Ser., v.1400, 5, с. #055041- 2019 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588
  • Краснова,АО; Агафонов,ДВ; Глебова,НВ; Томасов,АА; Зеленина,НК; Нечитайлов,АА Технологические аспекты электродов водородного топливного элемента с управляемой пористостью и транспортными характеристиками 2019, Альтернативная энергетика и экология, т.4-6 (288-290) с. 51-64 DOI: http://dx.doi.org/10.15518/isjaee.2019.04-06.051-064
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Краснова,АО Модель структурообразования в системе Pt/C-УНТ-Nafion 2019, Ж. структ. хим., т.60, 9 с. 1567-1579 DOI: http://dx.doi.org/10.26902/JSC_id46206 Nechitailov,AA; Glebova,NV; Krasnova,AO Structure Formation Model in the Pt/C-CNT-Nafion System 2019, J. Struct. Chem., v.60, 9 p. 1507-1519 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0022476619090166
  • Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Краснова,АО; Томасов,АА; Зеленина,НК Композитный катод водородного топливного элемента с высокой эффективностью преобразования энергии 2019, ЖТФ, т.89, 12 с. 1978-1983 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48499.451-18 Glebova,NV; Nechitailov,AA; Krasnova,AO; Tomasov,AA; Zelenina,NK Composite Cathode of a Hydrogen Fuel Cell with a High Energy Conversion Factor2019, Tech. Phys., v.64, 12 p. 1879-1884 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784219120077
  • Лебедев,АА; Левинштейн,МЕ; Иванов,ПА; Козловский,ВВ; Стрельчук,АМ; Шабунина,ЕИ; Fursin,L Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs 2019, ФТП, т.53, 12 с. 1604-1608 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48610.9219 Lebedev,AA; Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Kozlovski,VV; Strel`chuk,AM; Shabunina,EI; Fursin,L Effect of Irradiation with 15-MeV Protons on Low Frequency Noise in Power SiC MOSFETs 2019, Semiconductors, v.53, 12 p. 1568-1572 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619160140
  • Асеев,АЛ; Варшалович,ДА; Велихов,ЕП; Грехов,ИВ; Гуляев,ЮВ; Жуков,АЕ; Иванов,СВ; Каплянский,АА; Копьев,ПС; Красников,ГЯ; Сурис,РА; Фортов,ВЕ Памяти Жореса Ивановича Алферова 2019, УФН, т.189, 8 с. 899-900 DOI: http://dx.doi.org/10.3367/UFNr.2019.07.038603
  • Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Михайлов,ЕМ; Скиданов,АА Исследование процесса выключения интегрального тиристора со встроенной системой управления 2019, ПТЭ, т.4 с. 42-46 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0032816219030182 Grekhov,IV; Lyublinskiy,AG; Mikhailov,EM; Skidanov,AA Investigation of the Turn-off Process of an Integrated Thyristor with an Embedded Control System 2019, Instrum. Exp. Tech., v.62, 4 p. 493-497 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0020441219030163
  • Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ; Грехов,ИВ Численное и экспериментальное исследования оптимизированного p-SOS-диода 2019, ЖТФ, т.89, 3 с. 409-415 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2019.03.47177.208-18 Lyublinsky,AG; Belyakova,EI; Grekhov,IV Numerical and Experimental Study of an Optimized p-SOS Diode 2019, Tech. Phys., v.64, 3 p. 373-379 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784219030186
  • Brylevskiy,V; Podolska,N; Smirnova,I; Rodin,P; Grekhov,I Picosecond-Range Avalanche Switching Initiated by a Steep High-Voltage Pulse: Si Bulk Samples Versus Layered pn Junction Structures Phys. Status Solidi B-Basic Res., v.256, 6, SI, #1800520, DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201800520
  • Brylevskiy,VI; Smirnova,IA; Podolska,NI; Zharova,YA; Rodin,PB; Grekhov,IV Picosecond-Range Avalanche Switching of Bulk Semiconductors Triggered by Steep High-Voltage Pulses 2019, IEEE Trans. Plasma Sci., v.47, 1 p. 994-999 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TPS.2018.2875423
  • Illarionov,YY; Banshchikov,AG; Polyushkin,DK; Wachter,S; Knobloch,T; Thesberg,M; Vexler,MI; Waltl,M; Lanza,M; Sokolov,NS; Mueller,T; Grasser,T Reliability of scalable MoS2 FETs with 2 nm crystalline CaF2 insulators 2019, 2D Materials, v.6, 4 ArtNo: #045004 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/ab28f2
  • Банщиков,АГ; Илларионов,ЮЮ; Векслер,МИ; Wachter,S; Соколов,НС Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя 2019, ФТП, т.53, 6 с. 844-849 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47740.9062 Banshchikov,AG; Illarionov,YY; Vexler,MI; Wachter,S; Sokolov,NS Trends in Reverse-Current Change in Tunnel MIS Diodes with Calcium Fluoride on Si(111) Upon the Formation of an Extra Oxide Layer 2019, Semiconductors, v.53, 6 p. 833-837 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619060034
  • Illarionov,YuYu; Banshchikov,AG; Polyushkin,DK; Wachter,S; Knobloch,T; Thesberg,M; Mennel,L; Paur,M; Stoger-Pollach,M; Steiger-Thirsfeld,A; Vexler,MI; Waltl,M; Sokolov,NS; Mueller,T; Grasser,T Ultrathin calcium fluoride insulators for two-dimensional field-effect transistors 2019, Nat. Electron., v.2, 6 p. 230-235 DOI: http://dx.doi.org/10.1038/s41928-019-0256-8
  • Ли,ГВ; Астрова,ЕВ; Румянцев,АМ Электрохимическая аморфизация как метод повышения скоростных характеристик кристаллических кремниевых анодов для литий-ионных аккумуляторов 2019, Письма ЖТФ, т.45, 22 с. 16-20 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2019.22.48642.17962 Li,GV; Astrova,EV; Rumyantsev,AM Electrochemical Amorphization As a Method to Increase the Rate Capability of Crystalline Silicon Anodes for Lithium-Ion Batteries 2019, Tech. Phys. Lett., v.45, 11 p. 1131-1135 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785019110257
  • Астрова,ЕВ; Воронков,ВБ; Румянцев,АМ; Нащекин,АВ; Парфеньева,АВ; Ложкина,ДА Аноды литий-ионных аккумуляторов, полученные спеканием кремниевого нанопорошка 2019, Электрохимия, т.55, 3 с. 318-328 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0424857019020026 Astrova,EV; Voronkov,VB; Rumyantsev,AM; Nashchekin,AV; Parfen`eva,AV; Lozhkina,DA Anodes for Lithium-Ion Batteries Obtained by Sintering Silicon Nanopowder 2019, Russ. J. Electrochem., v.55, 3 p. 184-193 DOI:  http://dx.doi.org/10.1134/S1023193519020010
  • Астрова,ЕВ; Воронков,ВБ; Нащекин,АВ; Парфеньева,АВ; Ложкина,ДА; Томкович,МВ; Кукушкина,ЮА Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка 2019, ФТП, т.53, 4 с. 540-549 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47455.9019 Astrova,EV; Voronkov,VB; Nashchekin,AV; Parfeneva,AV; Lozhkina,DA; Tomkovich,MV; Kukushkina,YA Formation of Porous Silicon by Nanopowder Sintering 2019, Semiconductors, v.53, 4 p. 530-539 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619040031
  • Ли,ГВ; Астрова,ЕВ; Преображенский,НЕ; Румянцев,АМ; Павлов,СИ; Берегулин,ЕВ Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов, полученные фотоанодированием кремния солнечной градации 2019, ЖТФ, т.89, 5 с. 711-716 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2019.05.47473.193-18 Li,GV; Astrova,EV; Preobrazhenskii,NE; Rumyantsev,AM; Pavlov,SI; Beregulin,EV Negative Electrodes for Lithium-Ion Batteries Obtained by Photoanodization of Solar-Grade Silicon 2019, Tech. Phys., v.64, 5 p. 660-665 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784219050141
  • Астрова,ЕВ; Улин,ВП; Парфеньева,АВ; Воронков,ВБ Карбонизация нанокристаллического кремния с помощью фторуглерода 2019, Письма ЖТФ, т.45, 13 с. 29-32 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47954.17818 Astrova,EV; Ulin,VP; Parfeneva,AV; Voronkov,VB Fluorocarbon Carbonization of Nanocrystalline Silicon 2019, Tech. Phys. Lett., v.45, 7 p. 664-667 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785019070022
  • Ли,ГВ; Астрова,ЕВ; Лихачев,АИ Фотоанодирование n-Si в присутствии перекиси водорода: зависимость от напряжения 2019, ФТП, т.53, 1 с. 119-131 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46999.8897 Li,GV; Astrova,EV; Lihachev,AI Photoanodization of n-Si in the Presence of Hydrogen Peroxide: Voltage Dependence 2019, Semiconductors, v.53, 1 p. 114-126 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619010147
  • Лебедев,АА; Козловский,ВВ; Иванов,ПА; Левинштейн,МЕ; Зубов,АВ Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4H-SiC p-n-диодов Шоттки 2019, ФТП, т.53, 10 с.: 1448-1452 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48306.9160 Lebedev,AA; Kozlovski,VV; Ivanov,PA; Levinshtein,ME; Zubov,AV Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4H-SiC JBS Schottky Diodes 2019, Semiconductors, v.53, 10 p. 1409-1413 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619100130
  • Лебедев,АА; Иванов,ПА; Левинштейн,МЕ; Мохов,ЕН; Нагалюк,СС; Анисимов,АН; Баранов,ПГ Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им.А.Ф.Иоффе РАН) 2019, УФН, т.189, 8 с. 803-848 DOI: http://dx.doi.org/10.3367/UFNr.2018.10.038437
  • Lebedev,AA; Kozlovski,VV; Levinshtein,ME; Ivanov,PA; Strel`chuk,AM; Zubov,AV; Fursin,L Effect of high energy (15 MeV) proton irradiation on vertical power 4H-SiC MOSFETs 2019, Semicond. Sci. Technol., v.34, 4 ArtNo: #045004 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab0590
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD) 2019, ФТП, т.53, 3 с. 407-410 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47295.9014 Ivanov,PA; Potapov,AS; Samsonova,TP Simulation of Transient Processes in 4H-SiC Based Semiconductor Devices (Taking into Account the Incomplete Ionization of Dopants in the ATLAS Module of the SILVACO TCAD Software Package) 2019, Semiconductors, v.53, 3 p. 385-387 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619030072
  • Иванов,ПА; Кудояров,МФ; Потапов,АС; Самсонова,ТП Коррекция характеристик обратного восстановления высоковольтных инжекционных 4H-SiC диодов с помощью протонного облучения 2019, ФТП, т.53, 6 с. 862-864 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47743.9073 Ivanov,PA; Kudoyarov,MF; Potapov,AS; Samsonova,TP Correction of the Reverse Recovery Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Junction Diodes Using Proton Irradiation 2019, Semiconductors, v.53, 6 p. 850-852 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S106378261906006X
  • Толмачев,ВА; Щербинин,ДП; Коншина,ЕА Эллипсометрическое исследование тонкопленочных структур аморфного гидрогенизированного углерода и наночастиц золота 2019, Оптика спектроск., т.127, 5 с.: 846-850 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/OS.2019.11.48526.197-19 Tolmachev,VA; Shcherbinin,DP; Konshina,EA An Ellipsometric Study of Thin-Film Structures of Amorphic Hydrogenized Carbon and Gold Nanoparticles 2019, Opt. Spectrosc., v.127, 5 p. 919-923 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0030400X19110262
  • Жарова,ЮА; Толмачев,ВА; Павлов,СИ Оптические и структурные свойства наноструктур Ag и c-Si, формирующихся в процессе металл-стимулированного химического травления кремния 2019, ФТП, т.53, 4 с. 576-582 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47459.9024 Zharova,YA; Tolmachev,VA; Pavlov,SI Optical and Structural Properties of Ag and c-Si Nanostructures Formed During the Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon 2019, Semiconductors, v.53, 4 с. 566-572 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619040274
  • Zharova,Y; Ermina,A; Pavlov,S; Koshtyal,Y; Tolmachev,V Spectroscopic Characterization of Silicon Wire-Like and Porous Nanolayers in the Process of Metal-Assisted Chemical Etching of Single-Crystal Silicon 2019, Phys. Status Solidi A-Appl. Mat., v.216, 17 ArtNo: #1900318 DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201900318
  • Елистратова,МА; Захарова,ИБ; Ли,ГВ; Дубровин,РМ; Сресели,ОМ Влияние условий кристаллизации на спектральные характеристики тонких пленок тетрафенилпорфирина 2019, ФТП, т.53, 1 с. 55-58 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46987.8961 Elistratova,MA; Zakharova,IB; Li,GV; Dubrovin,RM; Sreseli,OM The Effect of Crystallization Conditions on the Spectral Characteristics of Tetraphenylporphyrin Thin Films 2019, Semiconductors, v.53, 1 p. 51-54 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782619010056
  • Glebova,NV; Nechitailov,AA; Velichko,EN Characteristics of the composite platinum-carbon electrode containing carbon nanofibers in INTERNATIONAL CONFERENCE ON EMERGING TRENDS IN APPLIED AND COMPUTATIONAL PHYSICS 2019, ETACP 2019 J. Phys.: Conf. Ser., v.1236, 1, p. #012004- 2019 IOP PUBLISHING LTD ISSN: 1742-6588 International Conference on Emerging Trends in Applied and Computational Physics 2019, ETACP 2019; St. Petersburg, Russian Federation; 21-22 March 2019
  • Karpunin,AE; Pleshakov,IV; Proskurina,OV; Gerasimov,VI; Nechitailov,AA; Glebova,NV; Varlamov,AV; Parfenov,MV Optical study of composite material with nanosized fullerenol inclusions in INTERNATIONAL CONFERENCE ON EMERGING TRENDS IN APPLIED AND COMPUTATIONAL PHYSICS 2019, ETACP 2019 J. Phys.: Conf. Ser., v.1236, 1, p. #012012- 2019 IOP PUBLISHING LTD ISSN: 1742-6588
    International Conference on Emerging Trends in Applied and Computational Physics 2019, ETACP 2019; St. Petersburg, Russian Federation; 21-22 March 2019
  • Нечитайлов,АА; Глебова,НВ; Томасов,АА; Краснова,АО; Зеленина,НК Исследование неоднородности электрохимического электрода со смешанной проводимостью 2019, ЖТФ, т.89, 6 с. 893-901 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2019.06.47637.203-18 Nechitailov,AA; Glebova,NV; Tomasov,AA; Krasnova,AO; Zelenina,NK Study of the Heterogeneity of a Mixed-Conducting Electrochemical Electrode 2019, Tech. Phys., v.64, 6 p. 839-847 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784219060136
  • Коротков,СВ; Аристов,ЮВ; Воронков,ВБ Исследование динисторов с ударной ионизацией 2019, ПТЭ, т.2 с. 24-27 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0032816219010130 Korotkov,SV; Aristov,YV; Voronkov,VB Investigations of Shock-Ionized Dynistors 2019, Instrum. Exp. Tech., v.62, 2 p. 161-164 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S002044121901010X
  • Коротков,СВ; Аристов,ЮВ; Воронков,ВБ Сравнительное исследование динисторов с ударной ионизацией 2019, ПТЭ, т.2 с. 28-32 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0032816219010142 Korotkov,SV; Aristov,YV; Voronkov,VB Comparative Investigations of Shock-Ionized Dynistors 2019, Instrum. Exp. Tech., v.62, 2 p. 165-168 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S0020441219010111
  • Makarov,A; Kaczer,B; Roussel,P; Chasin,A; Grill,A; Vandemaele,M; Hellings,G; El-Sayed,AM; Grasser,T; Linten,D; Tyaginov,S Modeling the Effect of Random Dopants on Hot-Carrier Degradation in FinFETs 2019 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM, IRPS 2019 IEEE Int. Reliab. Phys. Symp. Proc., v.2019-March Art No: #8720584 2019 IEEE ISSN: 1541-7026 ISBN: 978-1-5386-9504-3 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2019; Monterey, USA; 31 March 2019 through 4 April 2019
  • Vandemaele,M; Kaczer,B; Tyaginov,S; Stanojevic,Z; Makarov,A; Chasin,A; Bury,E; Mertens,H; Linten,D; Groeseneken,G Full (Vg,Vd) Bias Space Modeling of Hot-Carrier Degradation in Nanowire FETs 2019 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM, IRPS 2019 IEEE Int. Reliab. Phys. Symp. Proc., v.2019-March Art No: #8720406 2019 IEEE ISSN: 1541-7026 ISBN: 978-1-5386-9504-3 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2019; Monterey, USA; 31 March 2019 through 4 April 2019
  • Jech,M; Ullmann,B; Rzepa,G; Tyaginov,S; Grill,A; Waltl,M; Jabs,D; Jungemann,C; Grasser,T Impact of Mixed Negative Bias Temperature Instability and Hot Carrier Stress on MOSFET Characteristics. Part II: Theory 2019, IEEE Trans. Electron Devices, v.66, 1 p. 241-248 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2018.2873421