Publications-2020

Below, all publications of the laboratory dated 2020 (according to the Russian scientific citation index) are listed. Total there are 28 entries as of January 2021.

  • Гейфман,ЕМ; Грехов,ИВ; Каменцев,ГЮ; Петров,АЮ; Чибиркин,ВВ Современное состояние и перспективы развития силового полупроводникового приборостроения в россии для мощной преобразовательной и импульсной техники В книге (сборнике): МЕЖДУНАРОДНЫЙ ФОРУМ “МИКРОЭЛЕКТРОНИКА-2019” 5-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ “ЭЛЕКТРОННАЯ КОМПОНЕНТНАЯ БАЗА И МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ МОДУЛИ” Наноиндустрия, т.S96-1 страницы: 164-168 2020 РЕКЛАМНО-ИЗДАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР “ТЕХНОСФЕРА”, МОСКВА ISSN: 1993-8578
    Международный форум “Микроэлектроника-2019” 5-я Международная научная конференция “Электронная компонентная база и микроэлектронные модули”; Алушта, Российская Федерация; 30 сентября – 5 октября 2019
  • Иванов,ПА; Потапов,АС; Лебедева,НМ; Грехов,ИВ Лавинный пробой в 4H-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности 2020, ЖТФ, т.90, 12 с. 2133-2138 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2020.12.50132.71-20
  • Illarionov,YY; Knobloch,T; Jech,M; Lanza,M; Akinwande,D; Vexler,MI; Mueller,T; Lemme,MC; Fiori,G; Schwierz,F; Grasser,T Insulators for 2D nanoelectronics: the gap to bridge 2020, Nat. Commun., v.11, 1 Art No: #3385 DOI: http://dx.doi.org/10.1038/s41467-020-16640-8
  • Астрова,ЕВ; Парфеньева,АВ; Румянцев,АМ; Улин,ВП; Байдакова,МВ; Неведомский,ВН; Нащекин,АВ Влияние термообработки на свойства композитных кремний-углеродных анодов для литий-ионных аккумуляторов 2020, Письма ЖТФ, т.46, 3 с. 14-18 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2020.03.48985.18067 Astrova,EV; Parfeneva,AV; Rumyantsev,AM; Ulin,VP; Baidakova,MV; Nevedomskiy,VN; Nashchekin,AV  The Effect of Thermal Treatment on Properties of Composite Silicon-Carbon Anodes for Lithium-Ion Batteries 2020, Tech. Phys. Lett., v.46, 2, p.114-117 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785020020042
  • Astrova,EV; Ulin,VP; Parfeneva,AV; Rumyantsev,AM; Voronkov,VB; Nashchekin,AV; Nevedomskiy,VN; Koshtyal,YM; Tomkovich,MV Silicon-carbon nanocomposites produced by reduction of carbon monofluoride by silicon 2020, J. Alloy. Compd., v.826 Art No: #154242 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.154242
  • Астрова,ЕВ; Улин,ВП; Парфеньева,АВ; Нащекин,АВ; Неведомский,ВН; Байдакова,МВ Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC, 2020, ФТП, т.54, 8 с. 753-765 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49647.9402 Astrova,EV; Ulin,VP; Parfeneva,AV; Nashchekin,AV; Nevedomskiy,VN; Baidakova,MV Interaction of Fluorocarbon with Silicon Monoxide and Processes of SiC Nanowire Formation 2020, Semiconductors, v.54, 8, p. 900-911 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782620080059
  • Иванов,ПА; Самсонова,ТП; Потапов,АС; Кудояров,МФ Высоковольтные быстровосстанавливающиеся лавинные диоды на основе карбида кремния 2020, Радиотехника и электроника, т.65, 8 с. 820-826 DOI: http://dx.doi.org/10.31857/S0033849420070050
  • Ильинская,НД; Лебедева,НМ; Задиранов,ЮМ; Иванов,ПА; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Потапов,АС Микропрофилирование 4H-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки 2020, ФТП, т.54, 1 с. 97-102 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48783.9223 Il`inskaya,ND; Lebedeva,NM; Zadiranov,YM; Ivanov,PA; Samsonova,TP; Kon`kov,OI; Potapov,AS Micro-profiling of 4H-SiC by Dry Etching to Form a Schottky Barrier Diode 2020, Semiconductors, v.54, 1 p. 144-149 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782620010108
  • Лебедева,НМ; Ильинская,НД; Иванов,ПА О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска 2020, ФТП, т.54, 2 с. 207-211 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48904.9277 Lebedeva,NM; Il`inskaya,ND; Ivanov,PA Edge-Termination Technique for High-Voltage Mesa-Structure 4H-SiC Devices: Negative Beveling 2020, Semiconductors, v.54, 2 p. 258-262 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782620020153
  • Лебедева,НМ; Самсонова,ТП; Ильинская,НД; Трошков,СИ; Иванов,ПА Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста 2020, ЖТФ, т.90, 6 с. 997-1000 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2020.06.49289.12-20 Lebedeva,NM; Samsonova,TP; Il`inskaya,ND; Troshkov,SI; Ivanov,PA Formation of SiC Mesastructures with Gently Sloping Sidewalls by Dry Selective Etching through a Photoresist Mask 2020, Tech. Phys., v.65, 6 p. 957-960 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063784220060195
  • Koroleva,MO; Elistratova,MA; Zakharova,IB; Li,GV; Sreseli,OM 5,10,15,20-tetraphenylporphyrin photoluminescence on nanoporous silicon substrates В книге (сборнике): 21ST RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS, RYCPS 2019 J. Phys.: Conf. Ser., v.1482, 1 ArtNo: #012009 2020 IOP PUBLISHING ISSN: 1742-6588 21st Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2019; St. Petersburg, Russian Federation; 25-29 November 2019
  • Глебова,НВ; Нечитайлов,АА; Краснова,АО Термическая деструкция Nafion в присутствии наноструктурированных материалов: терморасширенного графита, углеродной сажи, платины 2020, Ж. прикл. хим., т.93, 7 с. 996-1004 DOI: http://dx.doi.org/10.31857/S0044461820070105 Glebova N.V., Nechitailov A.A., Krasnova A.O. Thermal Degradation of Nafion in the Presence of Nanostructured Materials: Thermally Expanded Graphite, Carbon Black, and Platinum. Russ. J. Appl. Chem. 2020. v.93. P. 1034-1041 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1070427220070137
  • Glebova,NV; Nechitailov,AA; Krasnova,A Electrode material containing carbon nanotubes and its kinetic characteristics of oxygen electroreduction. Reac Kinet Mech Cat 2020 DOI: https://doi.org/10.1007/s11144-020-01866-w
  • Shkirskiy,V;  Krasnova,A;  Sanchez,T;  Amar,A;  Vivier,V;  Volovitch,P Development of anodic and cathodic blisters at a model Zn/epoxy interface studied using local electrochemical impedance Electrochemistry Communications. 2020. V. 111. P. 106633 DOI: doi.org/10.1016/j.elecom.2019.106633
  • Menshchikov,V; Alekseenko,A; Guterman,V; Nechitailov,A; Glebova,N; Tomasov,A; Spiridonova,O; Belenov,S; Zelenina,N; Safronenko,O Effective platinum-copper catalysts for methanol oxidation and oxygen reduction in proton-exchange membrane fuel cell 2020, Nanomaterials, v.10, 4 Art No: #742 DOI: http://dx.doi.org/10.3390/nano10040742
  • Rodin,PB; Ivanov,MS Spatiotemporal modes of fast avalanche switching of high-voltage layered semiconductor structures: From subnano to picosecond range 2020, J. Appl. Phys., v.127, 4 Art No: #044504 DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.5097831
  • Иванов,МС; Подольская,НИ; Родин,ПБ Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях 2020, ФТП, т.54, 3 с. 275-179 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49032.9284 Ivanov,MS; Podolska,NI; Rodin,PB Double Avalanche Injection in Diode Avalanche Sharpeners 2020, Semiconductors, v.54, 3 p. 345-349 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782620030100
  • Wen,C; Banshchikov,AG; Illarionov,YY; Frammelsberger,W; Knobloch,T; Hui,F; Sokolov,NS; Grasser,T; Lanza,M Dielectric Properties of Ultrathin CaF2 Ionic Crystals 2020, Adv. Mater. Art No: #2002525 DOI: http://dx.doi.org/10.1002/adma.202002525
  • Jing,X; Illarionov,Yu; Yalon,E; Zhou,P; Grasser,T; Shi,Y; Lanza,M Engineering Field Effect Transistors with 2D Semiconducting Channels: Status and Prospects 2020, Adv. Funct. Mater., v.30, 18 Art No: #1901971 DOI: http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201901971
  • Illarionov,YuYu; Knobloch,T; Grasser,T Native high-k oxides for 2D transistors, Nature Electronics, 3(8), 442, 2020 DOI http://dx.doi.org/10.1038/s41928-020-0464-2
  • Illarionov,YuYu; Banshchikov,AG; Knobloch,T; Polyushkin,DK;  Wachter,S; Fedorov,VV; Suturin,SM; Stöger-Pollach,M; Mueller,T;  Vexler,MI; Sokolov,NS; Grasser,T Crystalline Calcium Fluoride:  A Record-Thin Insulator for Nanoscale 2D Electronics, 78th Annual  IEEE Device Research Conference (DRC), pp. 46-47, June 2020, virtual. DOI: http://dx.doi.org/10.1109/DRC50226.2020.9135160
  • Делимова,ЛА; Юферев,ВС Нестационарный транспорт носителей заряда в сегнетоэлектрической пленке, описываемый теорией Ландау-Девоншира Гинзбурга-Халатникова 2020, Сборник тезисов международной онлайн-конференции «Исследование сегнетоэлектрических материалов российскими учеными. Столетие открытия сегнетоэлектричества» (СЭ-100) УрФУ, (Екатеринбург, 17-19 августа 2020) – 238 c., ISBN 978-5-9500624-3-8, стр. 199-200
  • Utamuradova,Sh.; Yusupova,Sh.; Fayzullaev K. Impurity-impurity interaction in silicon doped with manganese and nikel; Semiconductor Physics and Microelectronics, 2020, volume 2, issue 6, pp. 9-12, DOI: https://doi.org/10.37681/2181-9947-019-X
  • Гущина,ЕВ; Зайцева,НВ; Делимова,ЛА; Орлов,ГА; Серегин,ДС; Воротилов,КА Атомно-силовая микроскопия пористых сегнетоэлектрических пленок PZT 2020, Тезисы докладов международной конференции ФизикА.СПб (19-23 октября 2020), Политех-Пресс ISBN 978-5-7422-7050-8, стр. 127-128 Gushchina,EV; Zaitseva,NV; Delimova,LA; Orlov,GA; Seregin,DS; Vorotilov,KA Atomic force microscopy of porous ferroelectric PZT films В книге (сборнике): International Conference PhysicA.SPb/2020 J. Phys.: Conf. Ser., v. 1697, 012090 (2020) IOP PUBLISHING ISSN:1742-6588 International Conference PhysicA.SPb/2020; St.Petersburg, Russian Federation; 19–23 October 2020
  • Makarov,A; Roussel,Ph; Bury,E; Vandemaele,M; Spessot,A; Linten,D; Kaczer,B; Tyaginov,S Correlated time-0 and hot-carrier stress induced FinFET parameter variabilities: modeling approach (2020) Micromachines, v. 11, No. 7, pp. 657-674 DOI: https://doi.org/10.3390/mi11070657
  • Tyaginov,S; Grill,A; Vandemaele,M; Grasser,T; Hellings,G; Makarov,A; Jech,M; Linten,D; Kaczer,B A compact physics analytical model for hot-carrier degradation (2020) Proc. Intl. Reliab. Physics Symp (IRPS), p. 5A.2. DOI: https://doi.org/10.1109/IRPS45951.2020.9128327
  • Vandemaele,M; Chuang,KH; Bury,E; Tyaginov,S; Groeseneken,G; Kaczer,B The influence of gate bias on the anneal of hot-carrier degradation (2020) Proc. Intl. Reliab. Physics Symp (IRPS), p. 5A.3. DOI: https://doi.org/10.1109/IRPS45951.2020.9128218
  • Ermina,AA; Zharova.YA; Bolshakov,VO; Tolmachev,VA  The formation of SiNWs depending on the topology of the metal-catalyst film in the process of metal-assisted chemical etching of c-Si. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. 012110. DOI: https://doi.org/10.1088/1742-6596/1697/1/012110