Publications-2021

Below, the publications of the laboratory dated 2021 (irrespectively of whether these are indexed by the Russian Science Citation system) are listed. Total there are 29 entries as of mid-December 2021.

  • Глебова,НВ; Краснова,АО; Нечитайлов,АА; Томасов,АА; Зеленина,НК Исследование массотранспортных потерь структурно-модифицированных электродов воздушно-водородных топливных элементов методом вольт-амперной характеристики 2021, ЖТФ, т.91, с. 627-634 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2021.04.50626.241-20
  • Ложкина,ДА; Астрова,ЕВ; Соколов,РВ; Кириленко,ДА; Левин,АА; Парфеньева,АВ; Улин,ВП Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния 2021, ФТП, т.55, с. 373-387 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50743.9575
  • Иванов,ПА; Лебедева,НМ; Ильинская,НД; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ Высоковольтные лавинные 4H-SiC диоды с прямой фаской 2021, ФТП, т.55, с. 349-353 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50737.9566
  • Иванов,ПА; Кудояров,МФ; Лебедева,НМ; Ильинская,НД; Самсонова,ТП Высоковольтные лавинные 4H-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью 2021, Письма ЖТФ, т.47, с. 48-50 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2021.06.50760.18637
  • Иванов,ПА; Лебедева,НМ; Ильинская,НД; Кудояров,МФ; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Задиранов,ЮМ Высоковольтные 4H-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой 2021, ФТП, т.55, с. 188-194 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50507.9528 Ivanov,PA; Il’inskaya,ND; Kudoyarov,MF; Samsonova,TP; Kon’kov,OI; Zadiranov,YM High-Voltage 4H-SiC Schottky Diodes with Field-Plate Edge Termination 2021, Semiconductors, v.55, p. 243-249 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782621020147
  • Иванов,ПА; Лебедева,НМ TCAD-моделирование высоковольтных 4H-SiC диодов с охранной полуизолирующей областью 2021, ФТП, т.55, с. 201-206 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50509.9537
    Ivanov,PA; Lebedeva,NM TCAD Simulation of High-Voltage 4H-SiC Diodes with an Edge Semi-Insulating Region 2021, Semiconductors, v.55, p. 256-261 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782621020159
  • Иванов,МС; Брылевский,ВИ; Родин,ПБ Волновые эффекты в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диода в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя 2021, Письма ЖТФ, т.47, с. 32-35 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51119.18794 Ivanov,MS; Brylevskiy,VI; Rodin,PB Wave Effects in a Coaxial Transmission Line under Subnanosecond Switching of a High-Voltage Diode in the Delayed Impact-Ionization Breakdown Mode 2021, Tech. Phys. Lett., v.47, 9 p. 661-664 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785021070087
  • Ложкина,ДА; Астрова,ЕВ; Лихачев,АИ; Парфеньева,АВ; Румянцев,АМ; Смирнов,АН; Улин,ВП Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов 2021, ЖТФ, т.91, с. 1381-1392 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2021.09.51218.83-21
  • Gridchin,VO; Reznik,RR; Kotlyar,KP; Dragunova,AS; Dvoretckaia,LN; Parfeneva,AV; Shevchuk,DS; Kryzhanovskaya,NV; Mukhin,IS; Cirlin,GE Selective-area growth and optical properties of GaN nanowires on patterned SiOx/Si substrates В книге (сборнике): 22nd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanostructures 2020 J. Phys.: Conf. Ser., v.1851, 1 ArtNo: #012006 2021 IOP Publishing Ltd ISSN: 1742-6588
  • Шевченко,СА; Иванов,БВ; Смирнов,АА; Лучинин,ВВ; Ильин,ВА; Афанасьев,АВ; Кардо-Сысоев,АФ О приближенной оценке оптимальных параметров одноконтурных генераторов сверхкоротких импульсов на основе дрейфовых диодов с резким восстановлением 2021, Известия СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, т.3, с. 22-27 DOI: https://izv.etu.ru/assets/files/izvestiya-3_2021-22-27.pdf
  • Глебова,НВ; Краснова,АО; Нечитайлов,АА Исследование транспорта кислорода в структурно-модифицированных электродах методом вращающегося дискового электрода 2021, ЖТФ, т.91, с. 1148 -1157 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2021.07.50956.354-20
  • Делимова,ЛА; Зайцева,НВ; Ратников,ВВ; Юферев,ВС; Серегин,ДС; Воротилов,КА; Сигов,АС Сравнение характеристик тонких пленок PZT на подложках из сапфира и кремния 2021, ФТТ, т.63, с. 1076-1083 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2021.08.51157.052
  • Delimova,L; Zaitseva,N; Ratnikov,V; Yuferev.V; Seregin,D; Vorotilov.K; Sigov,A Effect of Substrate on PZT Films Properties, 2021 IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF), 2021, p.1-4 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/ISAF51943.2021.9477317
  • Fedorov,P; Nazarov,D; Medvedev,O; Koshtyal,Y; Rumyantsev,A; Tolmachev,V; Popovich,A; Maximov,MY Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Tantalum (V) Oxide 2021, Coatings v.11, 1206 DOI: https://doi.org/10.3390/coatings11101206
  • Knobloch,T; Illarionov,YuYu; Ducry,F; Schleich,C; Wachter,S; Watanabe,K; Taniguchi,T; Mueller,T, Waltl,M; Lanza,M; Vexler,MI; Luisier,M; Grasser,T The Performance Limits of Hexagonal Boron Nitride as an Insulator for Scaled CMOS Devices Based on Two-Dimensional Materials 2021, Nature Electronics, v.4, p. 98-108 DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-020-00529-x
  • Tyaginov,S; Makarov,A; Chasin,A; Bury,E; Vandemaele,M; Jech,M; Grill,A; DeKeersgieter,A; Linten,D; Kaczer,B The impact of self-heating and its implications on hot-carrier degradation – a modeling study 2021, Microelectronics Reliability, v.122, 7, 114156 DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114156
  • Jech,M; El-Sayed,AM; Tyaginov,S; Waldhör,D; Bouakline,F; Saalfrank,P; Jabs,D; Jungemann,C; Waltl,M; Grasser,T Quantum chemistry treatment of Silicon-Hydrogen bond rupture by nonequilibrium carriers in semiconductor devices 2021, Physical Review Applied, v.16, 1, 014026 DOI: https://doi.org/10.1103/PHYSREVAPPLIED.16.014026
  • Vandemaele,M; Kaczer,B; Tyaginov,S; Franco,J; Degraeve,R; Chasin,A; Wu,Z; Bury,E; Xiang,Y; Mertens,H; Groeseneken,G The properties, effect and extraction of localized defect profiles from degraded FET characteristics 2021, Proc. Intl. Reliab. Physics Symp (IRPS), pp. 1-7 DOI: https://doi.org/10.1109/IRPS46558.2021.9405164
  • Xiang,Y; Tyaginov,S; Vandemaele,M; Wu,Z; Franco,J; Bury,E; Truijen,B; Parvais,B; Linten,D; Kaczer,B A BSIM-based predictive hot-carrier aging compact model 2021, Proc. Intl. Reliab. Physics Symp (IRPS), pp. 1-9 DOI: https://doi.org/10.1109/IRPS46558.2021.9405222
  • Vandemaele,M; Franco,J; Tyaginov,S; Groeseneken,G; Kaczer,B Modeling of repeated FET hot-carrier stress and anneal cycles using Si–H bond dissociation/passivation energy distributions 2021, IEEE Transactions on Electron Devices, v.68, 4, pp. 1454-1460 DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2021.3061025
  • Illarionov,YuYu; Knobloch,T; Grasser,T Where are the Best Insulators for 2D Field-Effect Transistors? 2021, ECS Meeting Abstracts, 12, p. 609
  • Illarionov,YuYu; Knobloch,T; Grasser,T; Crystalline Insulators for Scalable 2D Nanoelectronics 2021, Solid-State Electronics, v. 185, 108043 DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2021.108043
  • Das,S; Sebastian.A; Pop,E.; McClellan,C; Franklin,AD; Grasser,T; Knobloch,T; Illarionov,YuYu; Penumatcha,AV; Appenzeller,J; Chen,Z; Zhu,W; Asselberghs,I; Li,L; Avci,UE; Bhat,N; Anthopoulos,TD; Singh,R Transistors Based on Two-Dimensional Materials for Future Integrated Circuits 2021 Nature Electronics, v.4, p. 786-799 DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-021-00670-1
  • Bolshakov,VO; Ermina,AA; Zharova,YuA; Tolmachev,VA Modeling of plasmon resonance of silver nanoparticles on a silicon surface 2021, J. Phys.: Conf. Ser. 2103, 012170 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2103/1/012170
  • Ермина,АА; Жарова,ЮА; Толмачев,ВА Исследование оптических свойств и морфологии пленки металла-катализатора в процессе металл-стимулированного химического травления кремния 2021, Сборник трудов IX Конгресса молодых ученых. − СПб.: Университет ИТМО, – Т.1. – С.291-294 – ISBN 978-5-7577-0644-3.
  • Ivanov,PA; Levinshtein,ME The impact of parasitic inductance on the dV/dt ruggedness of 4H-SiC Schottky diodes 2021, Microelectron. Reliab., v.122 ArtNo: #114159 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114159
  • Лебедева,НМ; Иванов,ПА; Ильинская,НД; Самсонова,ТП Высоковольтные лавинные 4H-SiC диоды с прямой фаской 2021, в Сборнике докл. X Всеросс. научн.-тех. конф. “Электроника и микроэлектроника СВЧ”, т.1, с. 84-88, изд-во СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, ISBN 978-5-7629-2862-5
  • Illarionov,YuYu; Knobloch,T; Grasser,T Inorganic molecular crystals for 2D electronics 2021, Nature Electronics, v.4, p. 870–871 DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-021-00691-w
  • Ivanov,M; Rodin,P High-Voltage Picosecond Range Sharpening Diode Commutating “Long” Pulses: Double Avalanche Injection vs. Plasma Extraction, 22ND IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE OF YOUNG PROFESSIONALS IN ELECTRON DEVICES AND MATERIALS, EDM 2021 Int. Conf. Young Spl. Micro/Nanotechnol. Electron Devices, EDM, v.2021-June ArtNo: #9507662, 2021 IEEE COMPUTER SOCIETY ISSN: 2325-4173 ISBN: 978-1-6654-1498-2, 22nd IEEE International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021; Altai Region, Russia; 30 June – 4 July 2021