Below, the publications of the laboratory dated 2021 (irrespectively of whether these are indexed by the Russian Science Citation system) are listed. Total there are 29 entries as of mid-December 2021.
- Глебова,НВ; Краснова,АО; Нечитайлов,АА; Томасов,АА; Зеленина,НК Исследование массотранспортных потерь структурно-модифицированных электродов воздушно-водородных топливных элементов методом вольт-амперной характеристики 2021, ЖТФ, т.91, с. 627-634 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2021.04.50626.241-20
- Ложкина,ДА; Астрова,ЕВ; Соколов,РВ; Кириленко,ДА; Левин,АА; Парфеньева,АВ; Улин,ВП Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния 2021, ФТП, т.55, с. 373-387 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50743.9575
- Иванов,ПА; Лебедева,НМ; Ильинская,НД; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ Высоковольтные лавинные 4H-SiC диоды с прямой фаской 2021, ФТП, т.55, с. 349-353 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50737.9566
- Иванов,ПА; Кудояров,МФ; Лебедева,НМ; Ильинская,НД; Самсонова,ТП Высоковольтные лавинные 4H-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью 2021, Письма ЖТФ, т.47, с. 48-50 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2021.06.50760.18637
- Иванов,ПА; Лебедева,НМ; Ильинская,НД; Кудояров,МФ; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Задиранов,ЮМ Высоковольтные 4H-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой 2021, ФТП, т.55, с. 188-194 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50507.9528 Ivanov,PA; Il’inskaya,ND; Kudoyarov,MF; Samsonova,TP; Kon’kov,OI; Zadiranov,YM High-Voltage 4H-SiC Schottky Diodes with Field-Plate Edge Termination 2021, Semiconductors, v.55, p. 243-249 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782621020147
- Иванов,ПА; Лебедева,НМ TCAD-моделирование высоковольтных 4H-SiC диодов с охранной полуизолирующей областью 2021, ФТП, т.55, с. 201-206 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50509.9537
Ivanov,PA; Lebedeva,NM TCAD Simulation of High-Voltage 4H-SiC Diodes with an Edge Semi-Insulating Region 2021, Semiconductors, v.55, p. 256-261 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782621020159 - Иванов,МС; Брылевский,ВИ; Родин,ПБ Волновые эффекты в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диода в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя 2021, Письма ЖТФ, т.47, с. 32-35 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2021.13.51119.18794 Ivanov,MS; Brylevskiy,VI; Rodin,PB Wave Effects in a Coaxial Transmission Line under Subnanosecond Switching of a High-Voltage Diode in the Delayed Impact-Ionization Breakdown Mode 2021, Tech. Phys. Lett., v.47, 9 p. 661-664 DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063785021070087
- Ложкина,ДА; Астрова,ЕВ; Лихачев,АИ; Парфеньева,АВ; Румянцев,АМ; Смирнов,АН; Улин,ВП Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов 2021, ЖТФ, т.91, с. 1381-1392 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2021.09.51218.83-21
- Gridchin,VO; Reznik,RR; Kotlyar,KP; Dragunova,AS; Dvoretckaia,LN; Parfeneva,AV; Shevchuk,DS; Kryzhanovskaya,NV; Mukhin,IS; Cirlin,GE Selective-area growth and optical properties of GaN nanowires on patterned SiOx/Si substrates В книге (сборнике): 22nd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanostructures 2020 J. Phys.: Conf. Ser., v.1851, 1 ArtNo: #012006 2021 IOP Publishing Ltd ISSN: 1742-6588
- Шевченко,СА; Иванов,БВ; Смирнов,АА; Лучинин,ВВ; Ильин,ВА; Афанасьев,АВ; Кардо-Сысоев,АФ О приближенной оценке оптимальных параметров одноконтурных генераторов сверхкоротких импульсов на основе дрейфовых диодов с резким восстановлением 2021, Известия СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, т.3, с. 22-27 DOI: https://izv.etu.ru/assets/files/izvestiya-3_2021-22-27.pdf
- Глебова,НВ; Краснова,АО; Нечитайлов,АА Исследование транспорта кислорода в структурно-модифицированных электродах методом вращающегося дискового электрода 2021, ЖТФ, т.91, с. 1148 -1157 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2021.07.50956.354-20
- Делимова,ЛА; Зайцева,НВ; Ратников,ВВ; Юферев,ВС; Серегин,ДС; Воротилов,КА; Сигов,АС Сравнение характеристик тонких пленок PZT на подложках из сапфира и кремния 2021, ФТТ, т.63, с. 1076-1083 DOI: http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2021.08.51157.052
- Delimova,L; Zaitseva,N; Ratnikov,V; Yuferev.V; Seregin,D; Vorotilov.K; Sigov,A Effect of Substrate on PZT Films Properties, 2021 IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF), 2021, p.1-4 DOI: http://dx.doi.org/10.1109/ISAF51943.2021.9477317
- Fedorov,P; Nazarov,D; Medvedev,O; Koshtyal,Y; Rumyantsev,A; Tolmachev,V; Popovich,A; Maximov,MY Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Tantalum (V) Oxide 2021, Coatings v.11, 1206 DOI: https://doi.org/10.3390/coatings11101206
- Knobloch,T; Illarionov,YuYu; Ducry,F; Schleich,C; Wachter,S; Watanabe,K; Taniguchi,T; Mueller,T, Waltl,M; Lanza,M; Vexler,MI; Luisier,M; Grasser,T The Performance Limits of Hexagonal Boron Nitride as an Insulator for Scaled CMOS Devices Based on Two-Dimensional Materials 2021, Nature Electronics, v.4, p. 98-108 DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-020-00529-x
- Tyaginov,S; Makarov,A; Chasin,A; Bury,E; Vandemaele,M; Jech,M; Grill,A; DeKeersgieter,A; Linten,D; Kaczer,B The impact of self-heating and its implications on hot-carrier degradation – a modeling study 2021, Microelectronics Reliability, v.122, 7, 114156 DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114156
- Jech,M; El-Sayed,AM; Tyaginov,S; Waldhör,D; Bouakline,F; Saalfrank,P; Jabs,D; Jungemann,C; Waltl,M; Grasser,T Quantum chemistry treatment of Silicon-Hydrogen bond rupture by nonequilibrium carriers in semiconductor devices 2021, Physical Review Applied, v.16, 1, 014026 DOI: https://doi.org/10.1103/PHYSREVAPPLIED.16.014026
- Vandemaele,M; Kaczer,B; Tyaginov,S; Franco,J; Degraeve,R; Chasin,A; Wu,Z; Bury,E; Xiang,Y; Mertens,H; Groeseneken,G The properties, effect and extraction of localized defect profiles from degraded FET characteristics 2021, Proc. Intl. Reliab. Physics Symp (IRPS), pp. 1-7 DOI: https://doi.org/10.1109/IRPS46558.2021.9405164
- Xiang,Y; Tyaginov,S; Vandemaele,M; Wu,Z; Franco,J; Bury,E; Truijen,B; Parvais,B; Linten,D; Kaczer,B A BSIM-based predictive hot-carrier aging compact model 2021, Proc. Intl. Reliab. Physics Symp (IRPS), pp. 1-9 DOI: https://doi.org/10.1109/IRPS46558.2021.9405222
- Vandemaele,M; Franco,J; Tyaginov,S; Groeseneken,G; Kaczer,B Modeling of repeated FET hot-carrier stress and anneal cycles using Si–H bond dissociation/passivation energy distributions 2021, IEEE Transactions on Electron Devices, v.68, 4, pp. 1454-1460 DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2021.3061025
- Illarionov,YuYu; Knobloch,T; Grasser,T Where are the Best Insulators for 2D Field-Effect Transistors? 2021, ECS Meeting Abstracts, 12, p. 609
- Illarionov,YuYu; Knobloch,T; Grasser,T; Crystalline Insulators for Scalable 2D Nanoelectronics 2021, Solid-State Electronics, v. 185, 108043 DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2021.108043
- Das,S; Sebastian.A; Pop,E.; McClellan,C; Franklin,AD; Grasser,T; Knobloch,T; Illarionov,YuYu; Penumatcha,AV; Appenzeller,J; Chen,Z; Zhu,W; Asselberghs,I; Li,L; Avci,UE; Bhat,N; Anthopoulos,TD; Singh,R Transistors Based on Two-Dimensional Materials for Future Integrated Circuits 2021 Nature Electronics, v.4, p. 786-799 DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-021-00670-1
- Bolshakov,VO; Ermina,AA; Zharova,YuA; Tolmachev,VA Modeling of plasmon resonance of silver nanoparticles on a silicon surface 2021, J. Phys.: Conf. Ser. 2103, 012170 DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2103/1/012170
- Ермина,АА; Жарова,ЮА; Толмачев,ВА Исследование оптических свойств и морфологии пленки металла-катализатора в процессе металл-стимулированного химического травления кремния 2021, Сборник трудов IX Конгресса молодых ученых. − СПб.: Университет ИТМО, – Т.1. – С.291-294 – ISBN 978-5-7577-0644-3.
- Ivanov,PA; Levinshtein,ME The impact of parasitic inductance on the dV/dt ruggedness of 4H-SiC Schottky diodes 2021, Microelectron. Reliab., v.122 ArtNo: #114159 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114159
- Лебедева,НМ; Иванов,ПА; Ильинская,НД; Самсонова,ТП Высоковольтные лавинные 4H-SiC диоды с прямой фаской 2021, в Сборнике докл. X Всеросс. научн.-тех. конф. “Электроника и микроэлектроника СВЧ”, т.1, с. 84-88, изд-во СПбГЭТУ “ЛЭТИ”, ISBN 978-5-7629-2862-5
- Illarionov,YuYu; Knobloch,T; Grasser,T Inorganic molecular crystals for 2D electronics 2021, Nature Electronics, v.4, p. 870–871 DOI: https://doi.org/10.1038/s41928-021-00691-w
- Ivanov,M; Rodin,P High-Voltage Picosecond Range Sharpening Diode Commutating “Long” Pulses: Double Avalanche Injection vs. Plasma Extraction, 22ND IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE OF YOUNG PROFESSIONALS IN ELECTRON DEVICES AND MATERIALS, EDM 2021 Int. Conf. Young Spl. Micro/Nanotechnol. Electron Devices, EDM, v.2021-June ArtNo: #9507662, 2021 IEEE COMPUTER SOCIETY ISSN: 2325-4173 ISBN: 978-1-6654-1498-2, 22nd IEEE International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021; Altai Region, Russia; 30 June – 4 July 2021